Die nächste Generation der Leistungshalbleiter ist da!

In der USV der SUMMIT Series® wird der Silizium-IGBT (Si) durch Halbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) ersetzt, die mehr Leistung bieten. Laut IEEE hat SiC für das 21. Jahrhundert die Bedeutung, die Si für das 20. Jahrhundert gehabt hat.

Mitsubishi Electric hat mit grundlegenden Entwicklungen der SiC-Technologie bereits Anfang der 1990er Jahre begonnen und bietet jetzt seine bewährte Technologie in der USV der SUMMIT Series®. Mit geringeren SiC-Schaltverlusten, höheren Schaltfrequenzen und verbessertem Wärmeleitfähigkeitsbereich werden höhere Effizienzen in allen Laststufen (500 und 750 kVA) erzielt.
Hierbei kann eine Effizienz von bis zu 98 % erreicht werden.

Mit einem Leistungsbereich von 1.050 bis 2.100 kVA ist die effiziente, erweiterbare 9900CX-USV mit großer Kapazität die ideale Lösung, um die Betriebszeit zu verbessern, und stellt eine ausgeglichene Stromlast bereit. Unser 1MW-System hat eine der kleinsten Stellflächen auf dem Markt.

Während die 9900D-USV eine große USV mit einem Leistungsbereich von 1.200 bis 2.000 kVA ist, ist sie dennoch erheblich kleiner als vergleichbare Modelle in diesem Leistungsbereich. Und dank der Effizienz dieser USV können Sie mit einem einzigen Gerät mehr machen als mit denen der Mitwerber. Diese Kombination reduziert den Gray Space, die Verkabelung sowie die Einbauzeit und Frachtkosten.

Die 9900D-USV ist reaktionsfähig und schützt vor Stromschwankungen mit erweiterter Steuerungs- und Leistungsmodulredundanz. Sie ist eine ideale USV für Rechenzentren. Sie ermöglicht Abtastung und Umschaltung bei hohen Geschwindigkeiten und kann bei höheren Temperaturen und in größeren Höhen betrieben werden.

Mit geringer Wärmeabgabe und umfassendem Vorderseitenzugang für leichte Wartung ist die 9900B-USV rundum zuverlässig. Das verteilte Bypass-Design ermöglicht den Betrieb mehrerer Module und hohe Effizienzen in einem Leistungsbereich von 300 bis 750 kVA.