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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3759

Module IGBT haute tension S1-Series

TOKYO, 23 décembre 2024 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui qu'à partir du 26 décembre, elle commencera à expédier des exemplaires de deux nouveaux modules IGBT (transistor bipolaire à porte isolée) haute tension S1-Series. Ces modules sont tous deux dotés d'une tension de 1,7 kV et sont destinés aux équipements industriels de grande taille, tels que les wagons et les émetteurs à courant continu (CC). Grâce aux dispositifs IGBT et aux structures d'isolation brevetés, les nouveaux modules offrent une excellente fiabilité, une faible perte de puissance et une résistance thermique négligeable, ce qui devrait augmenter la fiabilité et l'efficacité des onduleurs des équipements industriels de grande taille.
Les modules IGBT haute tension 1,7 kV de Mitsubishi Electric, commercialisés pour la première fois en 1997 et très appréciés pour leurs excellentes performances et leur haute fiabilité, ont été largement adoptés pour les onduleurs utilisés dans les systèmes d'alimentation.
Les nouveaux modules S1-Series comprennent la diode RFC (Relaxed Field of Cathode) brevetée de Mitsubishi Electric, qui multiplie par 2,2 la zone de fonctionnement sécurisée à récupération inverse (RRSOA) par rapport aux modèles précédents^*, ce qui améliore la fiabilité de l'onduleur. En outre, l'utilisation d'un élément IGBT ainsi que d'une structure à transistor bipolaire à grille enterrée (CSTBT^**) permet de réduire la perte de puissance et la résistance thermique, et d'améliorer l'efficacité des onduleurs. De plus, la structure d'isolation brevetée de Mitsubishi Electric offre une résistance à la tension d'isolation de 6,0 kVrms, soit une résistance 1,5 fois supérieure à celle des produits précédents^*, permettant ainsi de concevoir des isolations de manière plus flexible afin de maximiser la compatibilité avec une large gamme d'onduleurs.

1. *Comparaison avec CM1200DC-34N, CM1200E4C-34N et CM1200DC-34S.
2. **La construction de la puce IGBT brevetée de Mitsubishi Electric induit un effet « Carrier Stored ».

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