Communiqués de presse

Mitsubishi Electric livre deux modules SiC-MOSFET à SBD intégréePour des systèmes d'onduleur ultra-puissants et efficaces destinés aux rames ferroviaires, aux systèmes d'alimentation électrique et plus encore

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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3709

Module SiC-MOSFET Unifull™ à SBD intégrée de 3,3 kV

TOKYO, 10 juin 2024 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui avoir commencé à expédier des versions à faible courant de 3,3 kV/400 A et 3,3 kV/200 A d'un module de transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET) au carbure de silicium (SiC) à diode à barrière de Schottky (SBD) intégrée pour les équipements industriels lourds, notamment le matériel roulant et les systèmes d'alimentation électrique, à compter d'aujourd'hui, le 10 juin. Avec la version 3,3 kV/800 A existante, la nouvelle série baptisée Unifull™ comprend trois modules pour répondre à la demande croissante d'onduleurs capables d'augmenter la puissance de sortie et l'efficacité de conversion de puissance dans les équipements industriels lourds. Les nouveaux modules seront présentés lors de salons majeurs, notamment le salon Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2024 qui se tiendra à Nuremberg, en Allemagne, du 11 au 13 juin.

Les modules SiC-MOSFET à SBD intégrée de Mitsubishi Electric, y compris la version 3,3 kV/800 A dévoilée le 29 mars, sont dotés d'une structure de boîtier optimisée pour réduire les pertes de commutation et améliorer les performances du SiC. Par rapport aux modules d'alimentation existants, les modules Unifull™ réduisent considérablement les pertes de commutation et contribuent à augmenter la puissance de sortie et l'efficacité dans les équipements industriels lourds. Ils sont donc adaptés aux alimentations auxiliaires dans les rames et les systèmes d'entraînement avec des capacités relativement faibles.

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