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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3663

TOKYO, 23 janvier 2024 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui la sortie prochaine de six nouveaux modules de semi-conducteurs de puissance de la série J3 pour divers véhicules électriques (xVE), dotés d'un transistor à effet de champ à structure métal-oxyde semi-conducteur au carbure de silicium (SiC-MOSFET) ou d'un RC-IGBT (Si)¹, avec des conceptions compactes et évolutives pour une utilisation dans les onduleurs de véhicules électriques (VE) et de véhicules électriques hybrides rechargeables (PHEV). Des exemplaires des six produits de la série J3 pourront être expédiés à partir du 25 mars.
Les nouveaux modules d'alimentation seront exposés lors de la 38e édition du salon Electronics R&D, Manufacturing and Packaging Technology Expo (NEPCON JAPAN 2024) du 24 au 26 janvier à Tokyo Big Sight, au Japon, ainsi que lors d'autres expositions en Amérique du Nord, en Europe, en Chine et dans d'autres endroits.
À mesure que les semi-conducteurs de puissance capables de convertir efficacement l'électricité se développent et se diversifient pour répondre aux initiatives de décarbonisation, les semi-conducteurs de puissance SiC permettant de réduire considérablement les pertes de puissance font l'objet d'une demande croissante. Dans le secteur des xVE, les modules de semi-conducteurs de puissance sont largement utilisés dans les dispositifs de conversion de puissance tels que les onduleurs pour moteurs d'entraînement des xVE. Outre l'amélioration de l'autonomie des xVE, des modules compacts, à haute puissance et à haut rendement sont nécessaires pour réduire davantage la taille des batteries et des onduleurs. Cependant, en raison des normes de sécurité élevées définies pour les xVE, les semi-conducteurs de puissance utilisés dans les moteurs d'entraînement doivent être plus fiables que ceux utilisés dans les applications industrielles générales.
Le développement de ces produits SiC a été partiellement pris en charge par l'agence japonaise New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO pour Organisation pour le développement des énergies nouvelles et des technologies industrielles).

1. 1 IGBT à conduction inverse avec un IGBT et une diode sur une puce unique

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