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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3389

TOKYO, le 17 décembre 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui le lancement prochain de deux nouveaux modules IGBT dual type X-Series HV100 haute tension pour optimiser la puissance, l'efficacité et la fiabilité des systèmes d'onduleur dans les équipements industriels de grande taille, comme les lignes ferroviaires et les systèmes d'alimentation électrique. Ces modules offrent des courants nominaux de 600 A de deux types, à la pointe du marché^*, avec une tension d'isolation de 10 kVrms, considérée comme inégalée parmi l'ensemble des modules IGBT haute tension à 3,3 kV. Ces produits seront expédiés à partir du mois d'avril 2021.

1. *Selon une étude réalisée par Mitsubishi Electric en date du 17 décembre 2020.

Module IGBT dual type X-Series HV100 haute tension

Caractéristiques du produit

1. 1) Un courant de 600 A à la pointe du marché, pour des capacités encore augmentées
   • Grâce au courant nominal de 600 A de ce module, parmi les plus élevés des systèmes à deux types offrant une densité de courant importante avec sa tension d'isolation de 10 kVrms et sa tension collecteur-émetteur de 3,3 kV, vous pouvez configurer des systèmes d'onduleur ultra-puissants et efficaces vos équipements industriels de grande taille (lignes ferroviaires électriques et systèmes de transmission CC, par exemple).
   • Les modules IGBT de septième génération, intégrant des diodes CSTBT et RFC, peuvent offrir une densité de puissance de 8,57 A/cm², sans égale parmi les autres modules Si (version 3,3 kV/600 A).
2. 2) Tension d'isolation élevée et connexion parallèle aisée, pour optimiser les capacités et simplifier la configuration des circuits
   • Le boîtier HV100, offrant une tension d'isolation de 10 kVrms, simplifie la conception de l'isolation dans les circuits à plusieurs niveaux pour les équipements industriels de grande taille.
   • La disposition des bornes est optimisée pour faciliter la mise en parallèle et permettre des configurations d'onduleur plus flexibles.
3. 3) Nouvelle structure de boîtier, pour des systèmes d'onduleurs plus fiables
   • L'intégration de la plaque d'isolation et du dissipateur de chaleur augmente la durée du cycle thermique pour permettre un cycle de températures du boîtier relativement long.
   • La résistance thermique plus faible augmente la durée du cycle de puissance pour offrir un cycle de températures de puce relativement court.

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