Communiqués de presse

Mitsubishi Electric lance les nouveaux SiC-MOSFET série N 1 200 V à 4 brochesPour une réduction de la consommation d'énergie et de la taille des systèmes d'alimentation

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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3382

TOKYO, le 5 novembre 2020 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui le lancement prochain d'une nouvelle série de transistors à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET) en carbure de silicium : la série N des transistors SiC-MOSFET 1 200 V dans un boîtier TO-247-4¹, qui permet une perte de commutation 30 % inférieure à celle des produits existants dans le boîtier TO-247-3². Cette nouvelle série permet de réduire la consommation d'énergie ainsi que la taille des systèmes d'alimentation nécessitant une conversion haute tension, tels que les chargeurs embarqués sur les véhicules électriques (EV) ou les systèmes d'alimentation photovoltaïque. Les lancements d'échantillons commenceront en novembre.

1 Sépare la borne de la source du dispositif de commande de la borne de la source d'alimentation, contrairement aux boîtiers à 3 broches classiques
2 Communiqué de presse de Mitsubishi Electric publié le 16 juin 2020 : https://www.MitsubishiElectric.com/news/2020/0616.html

SiC-MOSFET série N 1 200 V en boîtier TO-247-4

Caractéristiques du produit

1) Le boîtier à quatre broches permet de réduire la consommation d'énergie ainsi que la taille des systèmes d'alimentation
- Dotée d'un bon facteur de mérite (FOM³) de 1 450 mΩ-nC et d'une haute tolérance à l'auto-activation, la puce SiC-MOSFET est montée sur le boîtier TO-247-4, lequel est équipé d'une borne de source du dispositif de commande indépendante ainsi que d'un boîtier à 3 broches classique.
- Comprend un boîtier à quatre broches pour réduire l'inductance parasite, obstacle à la commutation à grande vitesse. L'élimination des chutes de tension grille-source dues aux variations de courant permet de diminuer la perte de commutation d'environ 30 % par rapport aux produits TO-247-3.
- L'utilisation d'une fréquence porteuse plus élevée⁴ pour piloter les nouveaux semi-conducteurs de puissance contribue à réduire la perte de puissance de commutation, ce qui permet d'utiliser des systèmes de refroidissement plus petits et plus simples, ainsi que des réacteurs et d'autres composants périphériques plus petits, contribuant ainsi à réduire la consommation d'énergie et la taille des systèmes d'alimentation en général.
1. 3 Indice de performance des MOSFET de puissance, calculé en multipliant la résistance à l'état conducteur par la charge drain-porte (température de jonction de 100 °C). Des valeurs plus faibles indiquent de meilleures performances.
2. 4 Fréquence qui détermine le moment de mise en marche ou d'arrêt de l'élément de commutation dans un circuit inverseur
2) Six modèles pour diverses applications, y compris les modèles conformes aux normes AEC-Q101
- La nouvelle gamme comprend des modèles compatibles avec les normes AEC-Q101 de l'Automotive Electronics Council : ils peuvent donc être utilisés non seulement dans les applications industrielles, comme les systèmes photovoltaïques, mais également dans les applications de véhicules électriques.
- La distance d'isolement (distance la plus courte à la surface entre deux parties conductrices) entre la borne de drain et la borne de source est plus grande que dans les produits avec le boîtier TO-247-3, ce qui permet une application plus polyvalente, y compris dans les installations extérieures où la poussière et la saleté s'accumulent facilement.