Ce texte est une traduction de la version anglaise officielle de ce communiqué de presse. Il est fourni à titre de référence et pour votre confort uniquement. Pour plus de détails ou de précisions, veuillez vous reporter à la version originale en anglais. En cas de divergence, la version originale en anglais prévaut.

POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 3361

TOKYO, 16 juin 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui le lancement du SiC-MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur en carbure de silicium) série N 1 200 V qui offre une faible perte de puissance et une haute tolérance¹ à l'auto-activation. Cette nouvelle série permet de réduire la consommation d'énergie et de miniaturiser les systèmes d'alimentation nécessitant une conversion haute tension, tels que les chargeurs embarqués sur les véhicules électriques (EV), les systèmes d'alimentation photovoltaïque et plus encore. Les lancements d'échantillons commenceront en juillet.

Mitsubishi Electric présentera son nouveau SiC-MOSFET série N 1 200 V à l'occasion d'importants salons professionnels, dont le PCIM Asia 2020 à Shanghai, en Chine, du 16 au 18 novembre.

1. 1Capacité d'entrée/capacité de miroir (Ciss/Crss), calculée par Mitsubishi Electric

SiC-MOSFET série N 1 200 V

Caractéristiques du produit

1. 1)Réduction de la consommation d'énergie et miniaturisation des systèmes d'alimentation
   • La technologie de dopage à transistor à effet de champ à jonction (JFET) réduit à la fois la perte de commutation et la résistance à l'état conducteur, ce qui permet d'obtenir un facteur de mérite inégalé² (FOM³) de 1 450 mΩ·nC. La consommation d'énergie dans les systèmes d'alimentation est réduite d'environ 85 % par rapport à l'utilisation de transistors Si-IGBT conventionnels.
   • En réduisant la capacité de miroir⁴, la tolérance à l'auto-activation s'améliore de 14 fois par rapport aux produits concurrents. Ainsi, une opération de commutation rapide peut être réalisée et contribue à réduire les pertes de commutation.
   • La réduction de la perte de puissance de commutation contribue à réduire et à simplifier les systèmes de refroidissement ainsi qu'à réduire la taille des composants périphériques, tels que les réacteurs, en pilotant le semi-conducteur de puissance à une fréquence porteuse supérieure⁵, ce qui contribue à la réduction du coût et de la taille des systèmes d'alimentation globaux.
   1. 2Au 16 juin 2020 selon une étude réalisée par Mitsubishi Electric
   2. 3Indice de performance du MOSFET de puissance, calculé en multipliant la résistance à l'état conducteur par la charge drain-porte (température de jonction de 100 °C). Des valeurs plus faibles indiquent de meilleures performances
   3. 4Capacité parasite entre la porte et le drain existant dans la structure MOSFET (Crss)
   4. 5Fréquence qui détermine le moment de mise en marche ou d'arrêt de l'élément de commutation dans un circuit inverseur
2. 2)Six modèles pour diverses applications, y compris les modèles conformes aux spécifications AEC-Q101
   • La gamme de produits comprend des modèles conformes aux spécifications AEC-Q101 de l'Automotive Electronics Council. Par conséquent, le SiC-MOSFET série N peut être utilisé non seulement dans les applications industrielles telles que les systèmes photovoltaïques, mais également dans les chargeurs embarqués sur les véhicules électriques.

Planning des ventes

• Version PDF

Demande de renseignements

Contact presse

• Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation

Demandes de renseignements des clients

• Power Device Overseas Marketing Dept.A and Dept.B Mitsubishi Electric Corporation