Communiqués de presse
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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 3361
TOKYO, 16 juin 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui le lancement du SiC-MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur en carbure de silicium) série N 1 200 V qui offre une faible perte de puissance et une haute tolérance1 à l'auto-activation. Cette nouvelle série permet de réduire la consommation d'énergie et de miniaturiser les systèmes d'alimentation nécessitant une conversion haute tension, tels que les chargeurs embarqués sur les véhicules électriques (EV), les systèmes d'alimentation photovoltaïque et plus encore. Les lancements d'échantillons commenceront en juillet.
Mitsubishi Electric présentera son nouveau SiC-MOSFET série N 1 200 V à l'occasion d'importants salons professionnels, dont le PCIM Asia 2020 à Shanghai, en Chine, du 16 au 18 novembre.
SiC-MOSFET série N 1 200 V
Produit | Spécifications | Modèle | VDS | RDS(on)_typ. | IDmax@25 °C | Boîtier | Disponibilité des échantillons |
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SiC-MOSFET | AEC-Q101 | BM080N120SJ | 1 200 V | 80 mΩ | 38 A | TO-247-3 | Juillet 2020 |
BM040N120SJ | 40mΩ | 68A | |||||
BM022N120SJ | 22mΩ | 102A | |||||
— | BM080N120S | 80 mΩ | 38 A | ||||
BM040N120S | 40mΩ | 68A | |||||
BM022N120S | 22mΩ | 102A |
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