Communiqués de presse
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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3307
TOKYO, 30 septembre 2019 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) annonce aujourd'hui avoir mis au point un transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET) en carbure de silicium (SiC) à tranchée*1, doté d'une structure unique de limitation de champ électrique pour un semi-conducteur de puissance qui atteint une résistance à l'état passant inégalée*2 de 1,84 mΩ (milliohms) cm2 et une tension de claquage de plus de 1 500 V. L'intégration de ce transistor dans des modules de puissance à semi-conducteurs pour les équipements de puissance électroniques se traduira par des économies d'énergie et une réduction de la taille des équipements. Après avoir amélioré les performances et confirmé la fiabilité à long terme de ses nouveaux semi-conducteurs de puissance, Mitsubishi Electric compte mettre en pratique son nouveau SiC-MOSFET à tranchée après l'exercice financier de 2021.
Mitsubishi Electric a annoncé le lancement de son nouveau SiC-MOSFET à tranchée lors de l'« International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 » (Conférence internationale sur le carbure de silicium et les matériaux associés, ICSCRM), qui s'est tenue au Centre de conférence international de Kyoto du 29 septembre au 4 octobre.
Fig. Vue en coupe d'un SiC-MOSFET planaire classique (à gauche) et d'un nouveau SiC-MOSFET à tranchée (à droite)
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