POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 3164
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Vers des équipements de puissance plus petits et plus efficaces pour les systèmes d'alimentation électriques et les wagons
TOKYO, 31 janvier 2018 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui avoir mis au point un module semi-conducteur de puissance de 6,5 kV intégralement en carbure de silicium (SiC). Il est supposé offrir la plus haute densité de puissance (calculée à partir de la tension nominale et du courant) au monde, parmi les modules de semi-conducteurs de puissance dont la tension nominale se situe entre 1,7 kV et 6,5 kV. Cette densité de puissance sans précédent est rendue possible par la structure originale du modèle, qui intègre un transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET) et une diode sur une puce unique ainsi que par sa nouvelle conception de boîtier. Mitsubishi Electric s'attend à ce que le module amène à des équipements de puissance pour les wagons à haute tension et les réseaux électriques plus petits et plus économes en énergie. À l'avenir, la société continuera à développer davantage la technologie et à mener d'autres essais de fiabilité.
Densité de puissance | Perte de puissance | Fréquence d'exploitation estimée | |
---|---|---|---|
Module intégralement en SiC | 1,8* | 1/3 | 4 |
Module IGBT en silicium classique | 1** | 1 | 1 |
Remarque : valeurs normalisées aux valeurs correspondantes du module silicium classique IGBT Mitsubishi Electric
* Correspond à 9,3 kVA/cm3
**Correspond à 5,1 kVA/cm3
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