POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 3085
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Cette diode permet de réduire les pertes de puissance et la taille des systèmes d'alimentation
TOKYO, 1 mars 2017 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui le lancement d'une diode Schottky en carbure de silicium (SiC-SBD) dotée d'une structure Schottky-bipolaire (Junction Barrier Schottky, JBS) afin de réduire les pertes de puissance et la taille des systèmes d'alimentation des climatiseurs, des systèmes de production d'énergie photovoltaïque et de nombreux autres appareils. Ces améliorations seront applicables dès la commercialisation du produit.
Série | Modèle | Boîtier | Spécification | Livraison |
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SiC-SBD | BD20060T | TO-220 | 20 A/600 V | 1 mars 2017 |
BD20060S | TO-247 | 1 septembre 2017 |
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