POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 2978

Mitsubishi Electric étoffe sa gamme de GaN-HEMT à bande 3,5 GHz pour les stations émettrices-réceptrices de base à communication mobile 4G

Les nouveaux produits prennent en charge les stations émettrices-réceptrices de base (BTS) à petites cellules et macrocellules

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TOKYO, 22 décembre 2015 - Mitsubishi Electric Corporation a annoncé aujourd'hui l'agrandissement de sa gamme de transistors à électron à haute mobilité au nitrure de gallium (GaN-HEMT) pour une utilisation avec les stations émettrices-réceptrices de base (BTS) fonctionnant dans les systèmes de communication mobile de quatrième génération (4G) à bande 3,5 GHz. Les quatre nouveaux GaN-HEMT offrent une puissance de sortie et des rendements parmi les plus hauts du marché actuel selon l'enquête de la société au 22 décembre. Des échantillons seront mis à disposition à partir du 1er février.

(De gauche à droite) GaN-HEMT MGFS53G38ET1, MGFS50G38ET1, MGFS38G38L2 et MGFS37G38L2 pour une utilisation avec des BTS à communication mobile 4G 3,5 GHz

(De gauche à droite) GaN-HEMT MGFS53G38ET1, MGFS50G38ET1, MGFS38G38L2 et MGFS37G38L2 pour une utilisation avec des BTS à communication mobile 4G 3,5 GHz

Le déploiement des réseaux mobile LTE (Long Term Evolution) et LTE-Advanced a engendré une demande croissante pour des BTS offrant un plus grand volume de données, pour une taille et une consommation énergétique réduites. Par conséquent, Mitsubishi Electric a développé les nouveaux GaN-HEMT, conçus pour une utilisation avec des BTS macrocellules et un grand nombre de microcellules utilisées par les opérateurs de réseaux mobiles afin d'augmenter la capacité des données de leurs réseaux 4G avancés, développés avec les technologies LTE et LTE-Advanced.

Dans cette optique, Mitsubishi Electric poursuivra l'agrandissement de sa gamme de GaN-HEMT pour une utilisation avec différentes fréquences et puissances de sortie, ainsi que dans les systèmes de communication mobile supérieurs à la 4G.

Fonctionnalités du produit

1) Gamme de produits étoffée

- Ensemble en céramique sans bride dans les modèles 180 W et 90 W pour les BTS macrocellules
- Ensemble moulé en plastique dans les modèles 7 W et 5 W pour les BTS microcellules

2) Optimisation des GaN-HEMT et des transistors pour un rendement élevé

- Un rendement élevé permet de réduire la taille et la consommation énergétique des BTS
- Le modèle 90 W pour BTS macrocellules atteint un rendement de drain élevé (load pull) de 74 %
- Les modèles 7 W et 5 W pour BTS à microcellules atteignent un rendement de drain élevé de 67 %
- Un rendement élevé permet l'utilisation de systèmes de refroidissement simples, qui contribuent à réduire la taille et la consommation énergétique des BTS

3) Réduction de taille

- L'ensemble en céramique sans bride réduit la taille des dispositifs mêmes, ainsi que des modules d'amplification de la puissance dans lesquels ils sont déployés

Veuillez noter que les communiqués sont exacts au moment de la publication, mais peuvent être sujets à changement sans préavis.