TÓQUIO, 22 de dezembro de 2015 - A Mitsubishi Electric Corporation anunciou hoje a expansão da sua linha de transístores de elevada mobilidade de eletrões de nitreto de gálio (GaN-HEMT) para utilização em estações base transrecetoras (BTS) na banda de 3,5 GHz para sistemas de comunicações móveis (4G). Os quatro novos GaN-HEMT oferecem uma potência de saída e uns níveis de eficiência entre os mais elevados dos atualmente disponíveis, de acordo com um estudo da empresa à data de 22 de dezembro. As amostras serão lançadas a partir de 1 de fevereiro.

Como resultado da implementação das redes móveis Long Term Evolution (LTE) e LTE-Advanced, é cada vez mais necessário uma BTS que possa oferecer maiores volumes de dados, menor tamanho e menor consumo de energia. Em resposta a esta necessidade, a Mitsubishi Electric desenvolveu os novos GaN-HEMT, concebidos para utilização em BTS macro e num grande número de microcélulas que os operadores de redes móveis estão a utilizar para aumentar a capacidade de dados das suas redes 4G avançadas com base nas tecnologias LTE e LTE-Advanced.

No futuro, a Mitsubishi Electric vai continuar a expandir a sua linha de GaN-HEMT para utilização em diferentes potências de saída e frequências, e em sistemas de comunicação móveis além de 4G.

1) Linha de produtos expandida

- Pacote cerâmico sem flanges em modelos de 180 W e 90 W para BTS macrocélula
- Pacote de plástico moldado em modelos de 7 W e 5 W para BTS microcélula

2) Otimização de GaN-HEMT e transístores para elevada eficiência

- A elevada eficiência ajuda a reduzir o tamanho e o consumo de energia da BTS
- O modelo de 90 W para BTS macrocélula alcança uma eficiência de drenagem elevada ("load pull") de 74%
- Os modelos de 7 W e 5 W para BTS microcélula alcançam uma eficiência de drenagem elevada de 67%
- A elevada eficiência permite a utilização de um sistema de arrefecimento simples, o que contribui para um tamanho menor e um menor consumo de energia da BTS

3) Redução do tamanho

- O pacote cerâmico sem flanges reduz o tamanho dos próprios dispositivos e dos módulos amplificadores de energia nos quais são implementados