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DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3759

Modulo HVIGBT S1-Series

TOKYO, 23 dicembre 2024 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi che, dal 26 dicembre, avvierà la fornitura di campioni di due nuovi moduli HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) S1-Series, entrambi con potenza nominale di 1,7 kV, per grandi impianti industriali, ad esempio automotrici e trasmettitori di potenza CC. Grazie ai dispositivi a transistor bipolari a gate isolato (IGBT) e alle strutture di isolamento proprietari, i nuovi moduli offrono un'eccellente affidabilità e una bassa perdita di potenza e resistenza termica, che si prevede aumenteranno l'affidabilità e l'efficienza degli inverter in grandi impianti industriali.
I moduli HVIGBT da 1,7 kV di Mitsubishi Electric, introdotti per la prima volta sul mercato nel 1997 e molto apprezzati per le loro eccellenti prestazioni e l'elevata affidabilità, sono stati diffusamente adottati per gli inverter nei sistemi di alimentazione.
I nuovi moduli S1-Series incorporano il diodo proprietario RFC (Relaxed Field of Cathode) di Mitsubishi Electric, che aumenta di 2,2 volte la RRSOA (Reverse Recovery Safe Operating Area) rispetto ai modelli precedenti^* per una maggiore affidabilità dell'inverter. Inoltre, l'uso di un elemento IGBT con strutture transistor bipolari con struttura trench-gate ed effetto carrier-store (CSTBT^**) contribuisce a ridurre sia la perdita di potenza che la resistenza termica per inverter più efficienti. Inoltre, la struttura di isolamento proprietaria di Mitsubishi Electric aumenta la resistenza della tensione di isolamento fino a 6,0 kVrms, 1,5 volte superiore rispetto ai prodotti precedenti,^* offrendo design di isolamento più flessibili per la compatibilità con un'ampia gamma di inverter.

1. *Confronto con CM1200DC-34N, CM1200E4C-34N e CM1200DC-34S.
2. **Chip IGBT proprietario di Mitsubishi Electric con effetto carrier-store incorporato.

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