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Mitsubishi Electric inizia la fornitura di campioni di bare die SiC-MOSFET per gli xEVIl chip per semiconduttori di potenza standardizzato aumenterà l’autonomia di guida e ridurrà i costi di energia per gli xEV

Il presente testo è una traduzione della versione inglese ufficiale del comunicato stampa e viene fornito unicamente per comodità di consultazione. Fare riferimento al testo inglese originale per conoscere i dettagli e/o le specifiche. In caso di eventuali discrepanze, prevale il contenuto della versione inglese originale.

DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3748

(a sinistra) Wafer con SiC-MOSFET per gli xEV (rendering) (a destra) Layout di bare die SiC-MOSFET per gli xEV (rendering del campione fornito)

TOKYO, 12 novembre 2024 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi che il 14 novembre avvierà la fornitura di campioni di un bare die MOSFET (transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo) in carburo di silicio (SiC) da utilizzare negli inverter per motori di trazione di veicoli elettrici (EV), veicoli ibridi plug-in (PHEV) e altri veicoli elettrici (xEV). Il primo chip per semiconduttori di potenza SiC-MOSFET con specifica standard di Mitsubishi Electric consentirà all'azienda di rispondere alla diversificazione degli inverter per gli xEV e contribuire alla crescente popolarità di questi veicoli. Il nuovo bare die SiC-MOSFET per gli xEV coniuga una struttura chip proprietaria e tecnologie di produzione per contribuire alla decarbonizzazione migliorando le prestazioni degli inverter, ampliando l’autonomia di guida e migliorando l'efficienza energetica negli xEV.

Il nuovo chip per semiconduttori di potenza di Mitsubishi Electric è un SiC-MOSFET di tipo trench* proprietario che riduce la perdita di potenza di circa il 50% rispetto ai SiC-MOSFET di tipo planare** convenzionali. Grazie a tecnologie di produzione proprietarie, come un processo con film di ossido di gate che sopprime le fluttuazioni di perdita di potenza e resistenza di ON, il nuovo chip raggiunge una stabilità a lungo termine che contribuisce alla durata degli inverter e alle prestazioni degli xEV.


  1. *La scanalatura (trench) viene scavata dalla superficie del wafer e l'elettrodo di gate è integrato.
  2. **L'elettrodo di gate viene posizionato sulla superficie del wafer.

Nota

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