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DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3621

Wafer in silicio da 12 pollici e apparecchiatura di misurazione della resistenza,
mostrati, come riferimento, insieme a un wafer da 8 pollici (a destra)

TOKYO, 29 agosto 2023 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi di aver completato l'installazione della sua prima linea di lavorazione di wafer in silicio da 12 pollici presso la fabbrica Power Device Works di Fukuyama, in cui vengono prodotti semiconduttori di potenza. Inoltre, attraverso la produzione dei campioni e i relativi test, è stato verificato che i chip dei semiconduttori di potenza lavorati su questa linea di produzione raggiungono i livelli di prestazioni richiesti.

Come annunciato in precedenza, Mitsubishi Electric sta pianificando l'avvio della produzione di massa sulla nuova linea di wafer in silicio da 12 pollici nell'anno fiscale 2025. La società mira a raggiungere quasi il doppio della capacità di lavorazione di wafer per semiconduttori di potenza in silicio entro l'anno fiscale 2026 rispetto ai livelli dell'anno fiscale 2021.

Negli ultimi anni, man mano che i paesi cercano di azzerare le emissioni di carbonio, la domanda di semiconduttori di potenza in grado di offrire un controllo efficiente dell'energia elettrica è in crescita. I semiconduttori di potenza sono utilizzati in un'ampia gamma di prodotti, tra cui veicoli elettrici, dispositivi di consumo (come sistemi di condizionamento dell'aria), apparecchiature industriali, dispositivi per l'energia rinnovabile e di trazione, ed è richiesta una produzione stabile per soddisfare questa crescente domanda.

Mitsubishi Electric contribuirà alla realizzazione di una società priva di emissioni di carbonio attraverso il miglioramento della sua capacità produttiva e garantendo una fornitura stabile di semiconduttori di potenza attraverso l'introduzione di linee di produzione di wafer da 12 pollici altamente efficienti.

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