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DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3612

Modulo semiconduttore di potenza completamente in SiC (Full-SiC) tipo NX per apparecchiature industriali

TOKYO, 13 giugno 2023 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi che il 14 giugno inizierà a spedire campioni del suo nuovo modulo semiconduttore di potenza completamente in carburo di silicio (Full-SiC) tipo NX per apparecchiature industriali. Si prevede che questo modulo, che riduce l'induttanza interna e incorpora un chip SiC di seconda generazione, aiuterà a realizzare apparecchiature industriali più efficienti, piccole e leggere.
I semiconduttori di potenza sono utilizzati in maniera crescente per convertire l'energia elettrica in modo estremamente efficiente, contribuendo in tal modo a ridurre l'impronta di carbonio della società globale. Le aspettative sono particolarmente alte per i semiconduttori di potenza SiC grazie alla loro capacità di ridurre significativamente le perdite di potenza. Stiamo assistendo a una crescita della domanda di semiconduttori di potenza con livelli elevati di potenza ed efficienza, in grado di migliorare l'efficienza della conversione di potenza di componenti come gli inverter utilizzati nelle apparecchiature industriali.
Mitsubishi Electric ha iniziato il lancio di moduli semiconduttori di potenza dotati di chip SiC nel 2010. Il nuovo modulo, che presenta un chip SiC a bassa perdita e una struttura degli elettrodi ottimizzata, riduce l'induttanza interna del 47% rispetto al suo predecessore¹ e consente di ottenere una riduzione della perdita di potenza.
Lo sviluppo di questo prodotto in carburo di silicio è stato in parte supportato dalla New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO) giapponese.

1. 1Rispetto al modulo Si IGBT tipo NX da 1700 V/600 A serie T (CM600DX-34T) in base alle misurazioni effettuate in presenza di condizioni stabilite da Mitsubishi Electric

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