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DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3597

Modulo SiC-MOSFET da 3,3 kV con SBD integrato

TOKYO, 8 maggio 2023 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi che il 31 maggio inizierà la spedizione di campioni di un nuovo modulo SiC-MOSFET (transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo) con Schottky barrier diode (SBD) integrato, con tensione ammissibile dual-type da 3,3 kV e resistenza dielettrica di 6,0 kVrms. Si prevede che il nuovo modulo supporterà maggiore potenza, efficienza e affidabilità nei sistemi inverter per grandi apparecchiature industriali, come sistemi ferroviari e del settore dell'energia elettrica. Il prodotto sarà presentato in occasione dei principali eventi fieristici, tra i quali PCIM (Power Conversion Intelligent Motion) Europe 2023 a Norimberga, in Germania, dal 9 all'11 maggio.

Mitsubishi Electric ha già rilasciato quattro moduli Full-SiC e due moduli dual-type LV100 ad alta tensione da 3,3 kV. Per contribuire ulteriormente all'elevata potenza, all'efficienza e all'affidabilità degli inverter per grandi apparecchiature industriali, l'azienda inizierà presto a fornire campioni del suo nuovo modulo, in grado di ridurre la perdita di commutazione, ovvero un modulo SiC-MOSFET con SBD integrato e una struttura package ottimizzata.

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