Il presente testo è una traduzione della versione inglese ufficiale del comunicato stampa e viene fornito unicamente per comodità di consultazione. Fare riferimento al testo inglese originale per conoscere i dettagli e/o le specifiche. In caso di eventuali discrepanze, prevale il contenuto della versione inglese originale.

DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3577

• 

  Chip (rendering)

• 

  Diagramma a occhio PAM4 a 112 Gbaud
  (back-to-back, Vpp = 1,2 V)

TOKYO, 2 marzo 2023 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi di aver sviluppato un chip EML (modulatore ad elettroassorbimento con diodi laser) a 200 Gbps (112 Gbaud PAM4, modulazione di ampiezza di impulso a 4 livelli) che raddoppia la velocità dell'attuale chip EML a 100 Gbps dell'azienda grazie a una struttura a guida d'onda ibrida proprietaria. Il supporto del CWDM (Coarse Wavelength Division Multiplexing) di quattro lunghezze d'onda consente di ottenere una trasmissione a 800 Gbps utilizzando quattro chip o 1,6 Tbps utilizzandone otto.
Si prevede che il notevole miglioramento delle prestazioni aumenterà la velocità di trasmissione dei ricetrasmettitori ottici utilizzati nei data center, in risposta al costante aumento della domanda di traffico dati dovuto alla rapida crescita dei servizi di distribuzione video e del cloud computing.
Mitsubishi Electric presenterà questo nuovo chip in occasione della Optical Fiber Communication Conference and Exhibition (OFC) 2023 che si terrà a San Diego, USA, dal 5 al 9 marzo.

• Versione PDF

Richieste di informazioni

Contatto per i media

• Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation

Richieste dei clienti

• Semiconductor & Device Marketing Div.B Mitsubishi Electric Corporation