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DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3397

TOKYO, 18 febbraio 2021 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi che due nuovi transistor ad alta mobilità elettronica basati su nitruro di gallio da 13,75 a 14,5 GHz (banda Ku) da 30 W (45,3 dBm) saranno aggiunti alla linea di GaN HEMT dell'azienda per le stazioni terrestri di comunicazione satellitare (SATCOM). I due prodotti, uno per la comunicazione multi-carrier¹ e l'altro per comunicazione single-carrier², contribuiranno a una maggiore capacità di trasmissione dati e alla realizzazione di stazioni terrestri più piccole. Le vendite inizieranno il 15 marzo.

1. 1 Metodo di comunicazione voce, video e dati che utilizza segnali carrier di varie frequenze
2. 2 Metodo di comunicazione che utilizza un segnale carrier a frequenza singola

GaN-HEMT per le stazioni terrestri SATCOM in banda Ku
Single-carrier 30 W MGFK45G3745 (a sinistra) e multi-carrier 30 W MGFK45G3745A (a destra)

I sistemi satellitari in banda Ku vengono sempre più utilizzati per le comunicazioni di emergenza durante i disastri naturali e per la ritrasmissione di informazioni via satellite (SNG) da parte delle emittenti televisive nelle aree remote in cui non esistono reti via cavo. Nel frattempo, oltre al crescente utilizzo della comunicazione tradizionale single-carrier, è sempre più richiesta la comunicazione multi-carrier per garantire una comunicazione rapida e a volume elevato e per supportare il ridimensionamento delle stazioni mobili per scopi quali l'SNG. Finora, Mitsubishi Electric ha introdotto cinque GaN HEMT per le stazioni terrestri SATCOM single-carrier e multi-carrier. I due nuovi GaN HEMT da 30 W consentiranno una progettazione più flessibile degli amplificatori, con livelli di potenza nominale e utilizzo di driver GaN. Inoltre, contribuiranno al ridimensionamento delle stazioni terrestri e a rendere possibile una comunicazione satellitare più veloce e con maggiore capacità.

Programma di vendita

Caratteristiche del prodotto

1. 1)Bassa IMD3 con ampie frequenze di offset fino a 400 MHz per SATCOM a capacità elevata

   Il modello MGFK45G3745A per comunicazioni multi-carrier offre una bassa IMD3³ con ampie frequenze di offset⁴ fino a 400 MHz per comunicazioni satellitari ad alta velocità e capacità elevata.

   1. 3 Differenza di frequenza tra segnali a due toni utilizzati nelle misurazioni IMD3.
   2. 4 Distorsione di intermodulazione del terzo ordine, una misura della distorsione dell'amplificatore in caso di segnali a due toni.


2. 2)L'ampliamento della linea di prodotti GaN HEMT consentirà di realizzare stazioni terrestri SATCOM più piccole

   Comunicazione multi-carrier (nuovo modello in grassetto)

   Modello	MGFK45G3745A	MGFK48G3745A	MGFK50G3745A
   Frequenza	13,75 GHz-14,5 GHz
   Potenza di uscita satura	45,3 dBm (30 W)	48,3 dBm (70 W)	50,0 dBm (100 W)
   Guadagno lineare	9,5 dB	11 dB	10 dB
   Frequenza di offset @IMD3 = -25 dBc	Fino a 400 MHz	Fino a 400 MHz	Fino a 200 MHz

   Comunicazione single-carrier (nuovo modello in grassetto)

   Modello	MGFK45G3745	MGFK48G3745	MGFK50G3745	MGFG5H1503
   Frequenza	13,75 GHz-14,5 GHz
   Potenza di uscita satura	45,3 dBm (30 W)	48,3 dBm (70 W)	50,0 dBm (100 W)	43,0dBm (20 W)
   Guadagno lineare	9,5 dB	12 dB	10 dB	24 dB
   Frequenza di offset @IMD3 = -25 dBc	Fino a 5 MHz	Fino a 5 MHz	Fino a 5 MHz	Fino a 5 MHz

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