Il presente testo è una traduzione della versione inglese ufficiale del comunicato stampa e viene fornito unicamente per comodità di consultazione. Fare riferimento al testo inglese originale per conoscere i dettagli e/o le specifiche. In caso di eventuali discrepanze, prevale il contenuto della versione inglese originale.

DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3382

TOKYO, 5 novembre 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi l'imminente lancio di una nuova serie di MOSFET (transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo), SiC-MOSFET serie-N da 1200 V in un package TO-247-4,¹ in grado di ridurre del 30% la perdita di commutazione rispetto ai prodotti esistenti con package TO-247-3². Questa nuova serie contribuirà alla riduzione del consumo energetico e delle dimensioni fisiche dei sistemi di alimentazione che richiedono la conversione di alta tensione, quali i caricabatterie di bordo per veicoli elettrici (EV) e sistemi fotovoltaici. La spedizione dei campioni avrà inizio il prossimo novembre.

1. 1Separa il terminale driver source dal terminale power source a differenza dei package convenzionali a 3 pin
2. 2Comunicato stampa di Mitsubishi Electric del 16 giugno 2020: https://www.MitsubishiElectric.com/news/2020/0616.html

Package SiC-MOSFET TO-247-4 serie-N da 1200 V

Caratteristiche del prodotto

1. 1)Il package a quattro pin aiuta a ridurre il consumo energetico e le dimensioni fisiche dei sistemi di alimentazione
   • Il chip SIC-MOSFET con una buona cifra di merito (FOM³) di 1.450 mΩ-NC ed elevata tolleranza all'attivazione automatica è montato sul package TO-247-4, dotato di terminale driver source indipendente e package convenzionale a 3 pin.
   • Adotta un package a quattro pin per ridurre l'induttanza parassita, un problema nella commutazione ad alta velocità. L'eliminazione delle cadute di tensione di gate-source dovute alle variazioni di corrente contribuisce a ridurre la perdita di commutazione di circa il 30% rispetto ai prodotti TO-247-3.
   • L'utilizzo di una frequenza portante maggiore⁴ per azionare i nuovi semiconduttori di potenza contribuisce a ridurre la perdita di potenza di commutazione, permettendo raffreddatori più piccoli e semplici, nonché reattori e altri componenti periferici di dimensioni inferiori, contribuendo in tal modo a ridurre il consumo energetico e le dimensioni fisiche dei sistemi di alimentazione.
   1. 3Indice di prestazioni dei MOSFET di potenza, calcolato moltiplicando la resistenza di ON per la carica di gate-drain (temperatura di giunzione 100 °C). Valori minori indicano prestazioni migliori.
   2. 4Frequenza che determina la temporizzazione ON/OFF dell'elemento di commutazione nel circuito invertitore
2. 2)Sei modelli per diverse applicazioni, inclusi i modelli conformi alla specifica AEC-Q101
   • La nuova gamma di prodotti include modelli compatibili con gli standard AEC-Q101 dell'Automotive Electronics Council per l'uso non solo in applicazioni industriali, ad esempio per sistemi fotovoltaici, ma anche in applicazioni per veicoli elettrici (EV).
   • Distanza di dispersione (distanza più breve sulla superficie tra due parti conduttive) tra il terminale drain e il terminale source ampliata rispetto ai prodotti con package TO-247-3 per un'applicazione più flessibile, anche nelle installazioni esterne in cui polvere e sporco si accumulano facilmente.

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