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DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3359
TOKYO, 11 giugno 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi che acquisirà edifici e terreni da Sharp Fukuyama Semiconductor Co., Ltd., una società interamente controllata da Sharp Corporation con sede a Fukuyama, Prefettura di Hiroshima, Giappone. Le proprietà acquisite saranno il nuovo sito in cui Mitsubishi Electric Power Device Works elaborerà i wafer per la produzione di semiconduttori di potenza. I nuovi impianti di produzione, il cui inizio delle operazioni è previsto per novembre del prossimo anno, consentiranno a Mitsubishi Electric di espandere la propria attività nel settore dei dispositivi di potenza.
La domanda di semiconduttori di potenza, necessari per controllare in modo efficiente l'energia elettrica, è in rapida crescita così come i tentativi di risparmiare energia e proteggere l'ambiente globale attraverso misure di riduzione delle emissioni di anidride carbonica, incluso il processo di elettrificazione delle automobili in corso a livello mondiale.
Per soddisfare questa crescente domanda, Mitsubishi Electric ha condotto una ricerca volta a individuare nuovi potenziali siti di produzione. Come risultato di tale ricerca, l'azienda ha raggiunto un accordo con Sharp Corporation per l'acquisizione di edifici e terreni di proprietà di Sharp Fukuyama Semiconductor.
Ubicazione | Fukuyama, Prefettura di Hiroshima, Giappone |
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Struttura | Edificio a tre piani (46.500 m2 di spazio calpestabile totale) |
Finalità | Elaborazione dei wafer per semiconduttori di potenza |
Investimento | Circa 20 miliardi di yen |
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