Comunicati stampa
Il presente testo è una traduzione della versione inglese ufficiale del comunicato stampa e viene fornito unicamente per comodità di consultazione. Fare riferimento al testo inglese originale per conoscere i dettagli e/o le specifiche. In caso di eventuali discrepanze, prevale il contenuto della versione inglese originale.
DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3307
TOKYO, 30 settembre 2019 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi lo sviluppo di un MOSFET (transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo) in carburo di silicio (SiC) di tipo trench*1 con una struttura esclusiva di limitazione del campo elettrico per un dispositivo a semiconduttore di potenza che consente di ottenere una resistenza di ON specifica, unica al mondo*2 di 1,84 mΩ (milliohm) cm2 e una tensione di rottura di oltre 1.500 V. Il montaggio del transistor nei moduli di semiconduttori di potenza per le apparecchiature per elettronica di potenza permetterà di risparmiare energia e di ridurre le dimensioni delle apparecchiature. Dopo avere migliorato le prestazioni e confermato l'affidabilità a lungo termine dei suoi nuovi dispositivi a semiconduttori di potenza, Mitsubishi Electric prevede di applicare nella pratica il suo nuovo SIC-MOSFET di tipo trench in un periodo da definire dopo l'anno fiscale che avrà inizio nel 2021.
Mitsubishi Electric ha annunciato oggi il suo nuovo SiC-MOSFET di tipo trench in occasione della ISCRM (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials) 2019, che sta avendo luogo presso il Kyoto International Conference Center, in Giappone, dal 29 settembre al 4 ottobre.
Fig. Vista in sezione del SiC-MOSFET di tipo planare convenzionale (a sinistra) e del nuovo SiC-MOSFET di tipo trench (a destra)
I comunicati stampa contengono informazioni accurate al momento della pubblicazione, ma possono essere soggetti a variazioni senza preavviso.