DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3164
Il presente testo è una traduzione della versione inglese ufficiale del comunicato stampa e viene fornito unicamente per comodità di consultazione. Fare riferimento al testo inglese originale per conoscere i dettagli e/o le specifiche. In caso di eventuali discrepanze, prevale il contenuto della versione inglese originale.
Il nuovo modulo semiconduttore di potenza completamente in SiC (Full-SiC) da 6,5 kV di Mitsubishi Electric offre la densità di potenza più elevata al mondo
Sarà così possibile realizzare apparecchiature di potenza più piccole ed efficienti per automotrici e sistemi di alimentazione elettrica
TOKYO, 31 gennaio 2018 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi di aver sviluppato un modulo semiconduttore di potenza completamente in carburo di silicio (SiC) da 6,5 kV che si ritiene possa offrire la densità di potenza più elevata al mondo (calcolata in base a corrente e tensione nominale) tra i moduli semiconduttori con valori compresi tra 1,7 kV e 6,5 kV. Il raggiungimento di una densità di potenza senza precedenti è possibile grazie alla struttura originale del modello, che prevede un transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo (MOSFET) e un diodo integrati su un unico chip, nonché al pacchetto appena sviluppato. Secondo Mitsubishi Electric il modulo consentirà la realizzazione di apparecchiature di potenza più piccole ed efficienti sotto il profilo energetico per automotrici ad alta tensione e sistemi di alimentazione elettrica. In futuro l'azienda continuerà a sviluppare ulteriormente la tecnologia e a condurre test di affidabilità.
Prototipo del modulo semiconduttore di potenza completamente in SiC da 6,5 kV
Caratteristiche
- 1)
-
La massima tensione nominale offerta dai moduli completamente in SiC permetterà la realizzazione di apparecchiature elettroniche di potenza più piccole ed efficienti
- Una tensione nominale pari a 6,5 kV rappresenta il valore massimo tra i moduli semiconduttori di potenza con transistor bipolari a gate isolato (IGBT) in silicio
- La tecnologia Full-SiC migliora la densità di potenza e l'efficienza, oltre a supportare frequenze operative superiori per apparecchiature elettroniche di potenza ad alta tensione più piccole ed efficienti in termini energetici - 2)
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Struttura originale con chip singolo e nuovo pacchetto per un'elevata dissipazione termica e tolleranza al calore
- Superficie del chip drasticamente ridotta grazie all'integrazione di un transistor MOSFET e un diodo in un unico chip
- Il substrato isolante con proprietà termiche superiori e l'affidabile tecnologia di die bonding incrementano la dissipazione termica e la tolleranza al calore
- Una densità di potenza di 9,3 kVA/cm3 è la più elevata al mondo tra i moduli semiconduttori con valori nominali compresi tra 1,7 kV e 6,5 kV
Confronto tra il modulo semiconduttore di potenza completamente in SiC (Full-SiC) e il tradizionale modulo IGBT in silicio
| Densità di potenza | Perdita di potenza | Frequenza operativa presunta | |
|---|---|---|---|
| Modulo Full-SiC | 1,8* | 1/3 | 4 |
| Tradizionale modulo IGBT in silicio | 1** | 1 | 1 |
Nota: valori normalizzati in base ai valori corrispondenti del tradizionale modulo IGBT in silicio di Mitsubishi Electric
*Corrisponde a 9,3 kVA/cm3
**Corrisponde a 5,1 kVA/cm3
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