TOKYO, 22 dicembre 2015 - Mitsubishi Electric Corporation ha annunciato oggi che amplierà la sua linea di transistor ad effetto di campo ad alta mobilità elettronica basati su nitruro di gallio (GaN-HEMTs) per l'utilizzo nelle stazioni radio base (BTS) impiegate nei sistemi di comunicazione mobile in banda da 3,5 GHz di quarta generazione (4G). I quattro nuovi GaN-HEMT offrono una potenza di uscita e livelli di efficienza tra i più elevati disponibili al momento, secondo una ricerca aziendale del 22 dicembre. A partire dal 1° febbraio verranno rilasciati dei campioni.

Con l'introduzione di reti mobili LTE (Long Term Evolution) e LTE Advanced, aumenta la necessità di disporre di BTS in grado di offrire maggiori volumi di dati, dimensioni inferiori e minor consumo energetico. In risposta a tale necessità, Mitsubishi Electric ha sviluppato i nuovi transistor GaN-HEMT progettati per l'uso in BTS a macrocelle e in un ampio numero di microcelle che gli operatori delle reti mobili utilizzano per aumentare la capacità dei dati delle proprie reti 4G avanzate, create con le tecnologie LTE e LTE Advanced.

In futuro, Mitsubishi Electric continuerà ad ampliare la sua linea di transistor GaN-HEMT per l'uso con frequenze e potenze di uscita diverse, nonché in sistemi di comunicazione mobile successivi a 4G.

1) Linea di prodotti ampliata

-Pacchetto in ceramica senza flange nei modelli da 180 W e 90 W per BTS a macrocelle
-Pacchetto in plastica nei modelli da 7 W e 5 W per BTS a microcelle

2) Ottimizzazione transistor e GaN-HEMT per efficienza elevata

-L'efficienza elevata consente di ridurre le dimensioni e il consumo energetico delle BTS
-I modelli da 90 W per BTS a macrocelle raggiungono un rendimento elevato (load-pull) del 74%
-I modelli da 7 W e 5 W per BTS a microcelle raggiungono un rendimento elevato (load-pull) del 67%
-L'efficienza elevata consente l'uso di sistemi di raffreddamento semplici, che contribuiscono a ridurre le dimensioni e il consumo energetico delle BTS

3) Riduzione delle dimensioni

- Il pacchetto in ceramica senza flange riduce le dimensioni dei dispositivi stessi e dei moduli amplificatori di potenza in cui sono impiegati