ZUR SOFORTIGEN VERÖFFENTLICHUNG Nr. 3104

Bei diesem Text handelt es sich um eine Übersetzung der offiziellen englischen Version dieser Pressemitteilung, die nur als Hilfestellung und Referenz bereitgestellt wird. Ausführliche und/oder spezifische Informationen entnehmen Sie bitte der englischen Originalversion. Im Falle von Abweichungen hat der Inhalt der englischen Originalversion Vorrang.

Mitsubishi Electric kündigt Produkteinführung von X-Series HVIGBT-Modulen vom Typ LV100 an

Erstklassige Stromdichte wird zu einer höheren Ausgangsleistung in Wechselrichtersystemen beitragen

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TOKIO, 11. Mai 2017 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) gab heute die Einführung von zwei neuen X-Series HVIGBT-Modulen vom Typ LV100 in Folge im September bekannt. Mit den Modulen, die die höchste auf dem Markt verfügbare Stromdichte bieten, können Wechselrichtersysteme eine höhere Ausgangsleistung und Energieeffizienz erzielen. Außerdem bieten sie flexiblere Konfigurationen und höhere Zuverlässigkeit. Zusätzlich ist im Anschluss daran eine weitere Palette von SiC-Modulen geplant. Die HVIGBT-Module von Mitsubishi Electric spielen eine wichtige Rolle bei der Steuerung der Leistungsumwandlung in elektronischen Industriesystemen für Bahnanlagen, die Stromübertragung und andere große industrielle Anwendungen.

Die neuen Module werden vom 16. bis zum 18. Mai auf der Power Conversion and Intelligent Motion (PCIM) Europe 2017 in Nürnberg, Deutschland, und vom 27. bis zum 29. Juni auf der PCIM Asia 2017 in Schanghai, China, ausgestellt.

X-Series HVIGBT-Modul vom Typ LV100

Zeitplan für den Verkauf

Produkt Modell Spezifikation Lieferung
X-Series 
HVIGBT-Modul
vom Typ LV100		 CM450DA-66X 3,3 kV/450 A/2 in 1 Ab September 2017
CM600DA-66X 3,3 kV/600 A/2 in 1

Produktmerkmale

1)
Branchenführende Stromdichte für mehr Leistung
– Die IGBTs der siebten Generation mit CSTBT und die RFC-Dioden ermöglichen mit 8,57 A/cm2 branchenweit die höchste Stromdichte in ihrer Funktion als Si-Modul <3,3 kV/600 A>.
– Drei AC-Hauptanschlüsse sorgen für die Verteilung und den Ausgleich der Stromdichte, um die Leistungsfähigkeit von Wechselrichtern zu erhöhen.
2)
Einfache Parallelschaltung für flexible Konfigurationen und Kapazitäten
– Die Anschlussanordnung wurde für unkomplizierte Parallelschaltung und flexible Wechselrichterkonfigurationen und -kapazitäten optimiert.
3)
Neue Gehäusestruktur für noch höhere Zuverlässigkeit
– Durch die Integration der Isolierplatte und des Kühlkörpers wird ein Temperaturzyklus mit höherer Lebensdauer für relativ langfristige Gehäusetemperaturwechsel erzielt.
– Durch den niedrigeren thermischen Widerstand wird ein Stromzyklus mit höherer Lebensdauer für relativ kurzfristige Chip-Temperaturwechsel erzielt.

Hinweis: Die Pressemitteilungen sind zum Zeitpunkt ihrer Veröffentlichung korrekt. Sie können jedoch ohne vorherige Ankündigung geändert werden.