إن هذا النص ترجمة للنص الإنجليزي الرسمي لهذا الإصدار الجديد، وقد تم تزويده للرجوع إليه بسهولة عند الحاجة. يرجى الرجوع إلى النص الإنجليزي الأصلي للحصول على التفاصيل و/أو المواصفات الخاصة. في حال وجود أي تعارض، فيجب اتباع محتوى الإصدار الإنجليزي الأصلي.

بالنسبة للنشرة الفورية رقم ٣٧٤٨

(يسار) الرقاقة المزودة بوحدات SiC-MOSFET للمركبات الكهربائية (xEV) (عرض) (يمين) تخطيط رقاقة SiC-MOSFET المكشوفة للمركبات الكهربائية (xEV) (عرض لعينة الشحن)

طوكيو، ١٢ نوفمبر ٢٠٢٤ - أعلنت شركة Mitsubishi Electric (طوكيو: ٦٥٠٣) اليوم أنها ستبدأ شحن عينات من الرقائق المكشوفة من ترانزستور تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني وكربيد السيليكون (SiC) (المعروف اختصارًا بـ MOSFET) لاستخدامها في محولات محركات المركبات الكهربائية (EV) والمركبات الهجينة القابلة للشحن (PHEV) والمركبات الكهربائية الأخرى (xEV) في ١٤ نوفمبر. ستعمل رقاقة أشباه موصلات الطاقة SiC-MOSFET الأولى من Mitsubishi Electric ذات المواصفات القياسية على تمكين الشركة من الاستجابة لتنوع المحولات المستخدمة في المركبات الكهربائية (xEV) والمساهمة في زيادة شعبية هذه المركبات. تجمع رقاقة SiC-MOSFET الجديدة المكشوفة للمركبات الكهربائية (xEV) بين هيكل الرقاقة وتقنيات التصنيع المسجلة ملكيتها للشركة، مما يساهم في تحقيق تقليل انبعاثات الكربون من خلال تحسين أداء المحولات، وزيادة مدى القيادة، وتحسين كفاءة الطاقة في المركبات الكهربائية (xEVs).

رقاقة أشباه موصلات الطاقة الجديدة من Mitsubishi Electric هي رقاقة SiC-MOSFET مسجلة ملكيتها للشركة بتقنية الخندق^*، وهي تقلل من فقد الطاقة بحوالي 50% مقارنة برقاقة SiC-MOSFET التقليدية المسطحة^**. وبفضل تقنيات التصنيع المسجلة ملكيتها للشركة، مثل عملية طبقة أكسيد البوابة التي تقلل من تقلبات فقد الطاقة والمقاومة أثناء التشغيل، تحقق الرقاقة الجديدة استقرارًا طويل الأمد مما يساهم في متانة المحولات وتعزيز أداء المركبات الكهربائية (xEV).

1. *يتم حفر أخدود (خندق) من سطح الرقاقة ويتم تضمين القطب الكهربائي للبوابة.
2. **يتم وضع القطب الكهربائي للبوابة على سطح الرقاقة.

• نسخة PDF ‏(PDF : 1.08MB)

الاستفسارات

جهة الاتصال الإعلامية

• قسم العلاقات العامة بشركة Mitsubishi Electric