النشرات الإخبارية

شركة Mitsubishi Electric تعمل على تطوير ترانزستور SiC-MOSFET المزوّد بصمام SBD بهيكل جديد لوحدات الطاقةتمنع بنية الشريحة الجديدة تكدس التيار الزائد في شرائح معينة

إن هذا النص ترجمة للنص الإنجليزي الرسمي لهذا الإصدار الجديد، وقد تم تزويده للرجوع إليه بسهولة عند الحاجة. يرجى الرجوع إلى النص الإنجليزي الأصلي للحصول على التفاصيل و/أو المواصفات الخاصة. في حال وجود أي تعارض، فيجب اتباع محتوى الإصدار الإنجليزي الأصلي.

بالنسبة للنشرة الفورية رقم ٣٦٠٨

الشكل ١ هيكل الشريحة المطور حديثًا (الأعلى: قسم الشريحة؛ الأسفل: شرائح متصلة بالتوازي)

طوكيو، ١ يونيو ٢٠٢٣ - أعلنت شركة Mitsubishi Electric (طوكيو: ٦٥٠٣) اليوم أنها طورت هيكلًا جديدًا لترانزستور حقلي شبه مُوصل ذي أكسيد معدني (MOSFET) من كربيد السيليكون (SiC) مزوّد بصمام ثنائي شوتكي الحاجز (SBD)، ١ والذي طبقته الشركة في وحدة طاقة مصنوعة بالكامل من كربيد السيليكون بقوة ٣٫٣ كيلو فولت طراز FMF 800 DC -66 BEW٢ مخصصة للمعدات الصناعية الكبيرة، مثل السكك الحديدية وأنظمة طاقة التيار المستمر. تم البدء في شحن النماذج بتاريخ ٣١ مايو. من المتوقع أن يساعد الهيكل الجديد للشريحة في تقليص حجم أنظمة جر السكك الحديدية، وما إلى ذلك، فضلًا عن جعلها أكثر كفاءة في استخدام الطاقة، والمساهمة في الحياد الكربوني من خلال زيادة اعتماد نقل الطاقة بالتيار المستمر.
تجذب أشباه موصلات الطاقة المصنوعة من كربيد السيليكون (SiC) الانتباه نظرًا لقدرتها على تقليل فقد الطاقة بشكل كبير. إن شركة Mitsubishi Electric، التي قامت بتسويق وحدات الطاقة SiC المزودة بوحدات SiC-MOSFET وSiC-SBD في عام ٢٠١٠، اعتمدت أشباه موصلات الطاقة المصنوعة من كربيد السيليكون لمجموعة متنوعة من أنظمة المحولات، بما في ذلك مكيفات الهواء والسكك الحديدية.
يمكن تركيب الشريحة المزوّدة بوحدة SiC-MOSFET ووحدة SiC-SBD على الوحدة بشكل أكثر إحكامًا مقارنةً بالطريقة التقليدية المتمثلة في استخدام شرائح منفصلة، مما يؤدي إلى الحصول على وحدات أصغر وسعة أكبر وفقدان أقل للطاقة أثناء التحويل. ومن المتوقع أن يتم استخدامها على نطاق واسع في المعدات الصناعية الكبيرة، مثل السكك الحديدية وأنظمة الطاقة الكهربائية. حتى الآن، كان التطبيق العملي لوحدات الطاقة التي تستخدم ترانزستورات SiC-MOSFET المزوّدة بصمام SBD صعبًا نظرًا لقدرتها المنخفضة نسبيًا على التعامل مع التيار الزائد، ٣ مما يؤدي إلى التدمير الحراري للشرائح في حالات زيادة التيار،٤ لأن التيارات الزائدة في الدوائر المتصلة تتركز فقط في شرائح محددة.

لقد طورت شركة Mitsubishi Electric أول٥ آلية في العالم يركز من خلالها التيار الزائد على شريحة معينة في هيكل شرائح متصلة بالتوازي داخل وحدة طاقة، وهيكل شريحة جديد يتم فيه تنشيط جميع الشرائح في وقت واحد بحيث يتم توزيع التيار الزائد على كل الشرائح. نتيجة لذلك، تم تحسين قدرة التيار الزائد لوحدة الطاقة بمعامل خمسة أو أكثر مقارنةً بالتكنولوجيا الحالية للشركة، مما يساوي القدرة الخاصة بوحدات Si التقليدية أو يزيد عنها، وبالتالي يتيح إمكانية تطبيق ترانزستور SiC-MOSFET المزوّد بصمام SBD في وحدة الطاقة.

تم الإعلان عن تفاصيل التطوير في الساعة ٢ ظهرًا يوم ٣١ مايو (بالتوقيت المحلي) خلال ندوة ISPSD٦ لعام ٢٠٢٣، التي تم عقدها في هونغ كونغ في الفترة من ٢٨ مايو إلى ١ يونيو.


  1. ١يتكون الصمام الثنائي من تقاطع أشباه الموصلات بمعدن باستخدام حاجز شوتكي
  2. ٢من المقرر أن تشحن شركة Mitsubishi Electric نماذج من وحدة SiC-MOSFET المزوّدة بصمام SBD
  3. ٣الحد الحالي الذي يمكن أن تتحمله وحدة الطاقة أثناء حدوث زيادة التيار
  4. ٤عملية غير طبيعية يتدفق فيها تيار يتجاوز التيار المقدّر مؤقتًا من الدائرة إلى وحدة طاقة
  5. ٥وفقًا لبحث أجرته Mitsubishi Electric في ١ يونيو، ٢٠٢٣
  6. ٦الندوة الدولية الخامسة والثلاثون لأجهزة أشباه موصلات الطاقة والدوائر المدمجة

ملاحظة

تجدر الإشارة إلى أن النشرات الإخبارية الإعلامية دقيقة في وقت نشرها لكنها قد تكون عرضة للتغيير من دون إشعار.

الاستفسارات

جهة الاتصال الإعلامية

استفسارات العملاء