إن هذا النص ترجمة للنص الإنجليزي الرسمي لهذا الإصدار الجديد، وقد تم تزويده للرجوع إليه بسهولة عند الحاجة. يرجى الرجوع إلى النص الإنجليزي الأصلي للحصول على التفاصيل و/أو المواصفات الخاصة. في حال وجود أي تعارض، فيجب اتباع محتوى الإصدار الإنجليزي الأصلي.

بالنسبة للنشرة الفورية رقم ٣٥٩٧

وحدة SiC-MOSFET المضمنة في صمام SBD بقدرة ٣,٣ كيلو فولت

طوكيو، ٨ مايو ٢٠٢٣ - أعلنت شركة Mitsubishi Electric (طوكيو: ٦٥٠٣) اليوم أنها ستبدأ في شحن نماذج من وحدة ترانزستور حقلي شبه مُوصل ذي أكسيد معدني (MOSFET) من كربيد السيليكون (SiC) مضمنة في الصمام الثنائي شوتكي الحاجز (SBD) الجديدة، والتي تتميز بجهد مقاوم من النوع المزدوج بقدرة ٣,٣ كيلو فولت وقوة عزل تبلغ ٦,٠ kVrms، في ٣١ مايو. من المتوقع أن تدعم الوحدة الجديدة الطاقة الفائقة والكفاءة والموثوقية في أنظمة العاكس للمعدات الصناعية الكبيرة، مثل السكك الحديدية وأنظمة الطاقة الكهربائية. سيتم عرض الوحدة في المعارض التجارية الكبرى، بما في ذلك معرض Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2023 الذي يقام في نورمبرغ بألمانيا في الفترة من ٩ إلى ١١ مايو.

أصدرت Mitsubishi Electric بالفعل أربع وحدات SiC كاملة ووحدتين LV100 من النوع المزدوج عالي الجهد بقدرة ٣,٣ كيلو فولت. للمساهمة بشكل أكبر في إنتاج الطاقة العالية والكفاءة والموثوقية في عواكس المعدات الصناعية الكبيرة، ستبدأ الشركة قريبًا في تقديم نماذج من وحدتها الجديدة، مما يقلل من فقدان التبديل بسبب وجود وحدة SiC-MOSFET مع صمام SBD المدمج وبنية الحزمة الأمثل.

• نسخة PDF ‏(PDF : 382KB)

الاستفسارات

جهة الاتصال الإعلامية

• قسم العلاقات العامة بشركة Mitsubishi Electric