النشرات الإخبارية

شركة Mitsubishi Electric تطلق ترانزستور تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني وكربيد السيليكون (SiC-MOSFET) ذي أربع محطات طرفية فئة N وبقوة ١٢٠٠ واطيقلل من استهلاك الطاقة ومن الحجم الفعلي لأنظمة الإمداد بالطاقة

إن هذا النص ترجمة للنص الإنجليزي الرسمي لهذا الإصدار الجديد، وقد تم تزويده للرجوع إليه بسهولة عند الحاجة. يرجى الرجوع إلى النص الإنجليزي الأصلي للحصول على التفاصيل و/أو المواصفات الخاصة. في حال وجود أي تعارض، فيجب اتباع محتوى الإصدار الإنجليزي الأصلي.

بالنسبة للنشرة الفورية رقم ٣٣٨٢

طوكيو، ٥ نوفمبر ٢٠٢٠ - أعلنت شركة Mitsubishi Electric Corporation ((طوكيو: ٦٥٠٣) اليوم عن الإطلاق القادم لفئة جديدة من ترانزستورات تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني (MOSFETs)، ألا وهي فئة N من ترنزستورات SiC-MOSFET بقوة ١٢٠٠ واط في حزمة TO-247-4،¹ التي تحقق فقدان للطاقة أثناء التحويل أقل بنسبة ٣٠% مقارنة بمنتجات حزمة TO-247-3 ² الحالية. سوف تساعد هذه الفئة الجديدة على تقليل استهلاك الطاقة ومن الحجم الفعلي لأنظمة الإمداد بالطاقة التي تتطلب تحويل الفولتية العالية، مثل شواحن السيارات الكهربائية (EV)، وأنظمة الطاقة الكهروضوئية. ستبدأ عملية إرسال الشحنات التجريبية في شهر نوفمبر.

1تفصل بين المحطة الطرفية المصدرية للتشغيل والمحطة الطرفية المصدرية للطاقة على عكس الحزم التقليدية ثلاثية المسامير
2بيان صحفي لشركة Mitsubishi Electric في ١٦ يونيو ٢٠٢٠: https://www.MitsubishiElectric.com/news/2020/0616.html

ترانزستور تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني وكربيد السيليكون (SiC-MOSFET) فئة N بقوة ١٢٠٠ واط في حزمة TO-247-4

ميزات المنتج

1)تساعد الحزمة رباعية المسامير على تقليل استهلاك الطاقة والحجم الفعلي لأنظمة الإمداد بالطاقة
- شريحة ترانزستور SiC-MOSFET ذات تحقيق رقم استحقاق (FOM³) يبلغ ١٤٥٠mΩ-nC وقدرة تحمل عالية للتشغيل الذاتي المثبت على حزمة TO-247-4، وهي مزودة بمحطة طرفية مصدرية للتشغيل مستقلة بالإضافة إلى الحزمة التقليدية ثلاثية المسامير.
- تعتمد على حزمة رباعية المسامير لتقليل المحاثة الكهربائية الطفيلية، وهي مشكلة في التحويل عالي السرعة. يساعد التخلص من انخفاض فولتية مصدر البوابة بسبب الاختلافات الحالية في تقليل فقدان الطاقة أثناء التحويل بحوالي ٣٠% مقارنة بمنتجات TO-247-3.
- يساعد استخدام تردد أعلى للحامل⁴ لتشغيل أشباه موصلات الطاقة الجديدة على تقليل فقدان الطاقة أثناء التحويل، مما يتيح توفر أنظمة تبريد أصغر وأبسط بالإضافة إلى مفاعلات أصغر ومكونات طرفية أخرى، مما يساعد على تقليل استهلاك الطاقة والحجم الفعلي لأنظمة الإمداد بالطاقة الإجمالية.
1. 3مؤشر أداء ترانزستورات تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني، يتم حسابه بمضاعفة المقاومة أثناء التشغيل في الشحنة بين البوابة والمصب (درجة حرارة الوصلة ١٠٠°درجة مئوية). تشير القيم الأصغر إلى أداء أفضل.
2. 4التردد الذي يحدد توقيت تشغيل/إيقاف تشغيل عنصر التحويل في الدائرة العاكسة
2)ستة طرازات صالحة للاستخدام في مختلف التطبيقات بما في ذلك طرازات متوافقة مع معايير AEC-Q101
- تتضمن المجموعة الجديدة طرازات متوافقة مع معايير مجلس إلكترونيات السيارات AEC-Q101 للاستخدام ليس فقط في التطبيقات الصناعية على سبيل المثال الأنظمة الكهروضوئية، ولكن أيضًا في تطبيقات السيارات الكهربائية.
- أصبحت مسافة الزحف (أقصر مسافة على السطح بين جزأين موصلين) بين محطة المصب الطرفية محطة المصدر الطرفية أوسع مما كانت عليه في منتجات الحزمة TO-247-3 من أجل استخدام أكثر مرونة، بما في ذلك التركيبات الخارجية حيث يتراكم الغبار والأوساخ بسهولة.