النشرات الإخبارية
إن هذا النص ترجمة للنص الإنجليزي الرسمي لهذا الإصدار الجديد، وقد تم تزويده للرجوع إليه بسهولة عند الحاجة. يرجى الرجوع إلى النص الإنجليزي الأصلي للحصول على التفاصيل و/أو المواصفات الخاصة. في حال وجود أي تعارض، فيجب اتباع محتوى الإصدار الإنجليزي الأصلي.
بالنسبة للنشرة الفورية رقم ٣٣٦١
طوكيو، ١٦ يونيو ٢٠٢٠ - أعلنت شركة Mitsubishi Electric (طوكيو: ٦٥٠٣) اليوم عن إطلاق ترانزستور تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني وكربيد السيليكون (SiC-MOSFET) فئة N بقوة ١٢٠٠ واط، والذي يتميز بتوفيره للطاقة وقدرته العالية1 على التشغيل الذاتي. سوف تساعد هذه الفئة الجديدة على تقليل استهلاك الطاقة وتصغير حجم أنظمة الإمداد بالطاقة التي تتطلب تحويل الفولتية العالية، مثل شواحن السيارات الكهربائية (EV)، وأنظمة الطاقة الكهروضوئية والمزيد. ستبدأ عملية إرسال الشحنات التجريبية في شهر يوليو.
ستعرض شركة Mitsubishi Electric ترانزستور تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني وكربيد السيليكون (SiC-MOSFET) فئة N بقوة ١٢٠٠ واط الجديد في المعارض التجارية الرئيسية، ومن ضمنها معرض "PCIM آسيا ٢٠٢٠" في شنغهاي بالصين والذي سيقام في الفترة من ١٦ إلى ١٨ نوفمبر.
ترانزستور تأثير المجال المصنوع من أشباه الموصلات ذات الأكسيد المعدني وكربيد السيليكون (SiC-MOSFET) فئة N بقوة ١٢٠٠ واط
المنتج | المعايير | الطراز | VDS | RDS(on)_typ. | IDmax@25°C | الحزمة | توفر النماذج |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SiC-MOSFET | AEC-Q101 | BM080N120SJ | ١٢٠٠ فولت | ٨٠ ملي Ω | ٣٨ أمبير | TO-247-3 | يوليو ٢٠٢٠ |
BM040N120SJ | ٤٠ ملي Ω | ٦٨ أمبير | |||||
BM022N120SJ | ٢٢ مليΩ | ١٠٢ أمبير | |||||
— | BM080N120S | ٨٠ ملي Ω | ٣٨ أمبير | ||||
BM040N120S | ٤٠ ملي Ω | ٦٨ أمبير | |||||
BM022N120S | ٢٢ مليΩ | ١٠٢ أمبير |
تجدر الإشارة إلى أن النشرات الإخبارية دقيقة في وقت نشرها لكنها قد تكون عرضة للتغيير من دون إشعار.