النشرات الإخبارية
إن هذا النص ترجمة للنص الإنجليزي الرسمي لهذا الإصدار الجديد، وقد تم تزويده للرجوع إليه بسهولة عند الحاجة. يرجى الرجوع إلى النص الإنجليزي الأصلي للحصول على التفاصيل و/أو المواصفات الخاصة. في حال وجود أي تعارض، فيجب اتباع محتوى الإصدار الإنجليزي الأصلي.
بالنسبة للنشرة الفورية رقم ٣٢٩٨
طوكيو، ٢ سبتمبر ٢٠١٩ - أعلنت شركة Mitsubishi Electric Corporation (طوكيو: ٦٥٠٣) اليوم أنها نجحت، من خلال التعاون مع مركز الأبحاث للهندسة الصغرية والنظم الميكانيكيّة الكهربائية الصغرية (MEMS) واسعة الانتشار، التابع للمعهد الوطني للعلوم الصناعية والتكنولوجيا المتقدمة (AIST)، في تطوير ترانزستور قائم على الحركة الإلكترونية العالية مصنوع من نتريد الغاليوم (GaN-HEMT) في هيكل متعدد الخلايا (خلايا وحدات ترانزستور متعددة موضوعة بشكل متوازٍ) بحيث يرتبط مباشرة بركيزة مصنوعة من الماس أحادي الكريستال تتسم بقدرتها على التوصيل الحراري العالي للتبديد الحراري. كما أن الرابطة المباشرة بين وحدة GaN-HEMT متعددة الخلايا والركيزة المصنوعة من الماس أحادي الكريستال تُعد الأولى من نوعها على مستوى العالم.* وستعمل وحدة GaN-on-Diamond HEMT الجديدة على تحسين كفاءة القدرة المضافة للمضخمات عالية الطاقة في المحطات القاعدية لاتصالات الأجهزة المحمولة وأنظمة اتصالات الأقمار الصناعية، مما يساهم في الحد من استهلاك الطاقة. كما ستعمل Mitsubishi Electric على تحسين وحدة GaN-on-Diamond HEMT قبل إطلاقها التجاري المقرر بدؤه في عام ٢٠٢٥.
تم الإعلان عن هذا الإنجاز البحثي للمرة الأولى في المؤتمر الدولي المعني بمواد وأجهزة الحالة الصلبة (SSDM) المنعقد حاليًا في جامعة ناجويا في اليابان من ٢ إلى ٥ سبتمبر.
منظر علوي لوحدة GaN-on-Diamond HEMT الجديدة وهيكل الخلية
مقطع عرضيّ لوحدة GaN-on-Diamond HEMT الجديدة
تولّت Mitsubishi Electric تصميم وحدة GaN-on-Diamond HEMT وتصنيعها وتقييمها وتحليلها بينما تولّى معهد AIST تطوير تقنية الرابطة المباشرة. وقد ساهمت النتائج المستخلصة من مشروع نُفِّذ بتكليف من منظمة الطاقة الجديدة وتطوير التقنيات الصناعية (NEDO) في تحقيق هذا الإنجاز.
تجدر الإشارة إلى أن النشرات الإخبارية دقيقة في وقت نشرها لكنها قد تكون عرضة للتغيير من دون إشعار.