بالنسبة للنشرة الفورية رقم ٢٩٧٨

شركة Mitsubishi Electric توسع خط إنتاج GaN-HEMT بنطاق ٣٫٥ جيجا هرتز لمحطات الإرسال والاستقبال القاعدية للاتصالات المحمولة من الجيل الرابع

منتجات جديدة تدعم محطات الإرسال والاستقبال القاعدية (BTS) للخلايا الماكرو والخلايا الصغيرة

نسخة PDF ‏(PDF:106.6KB)

طوكيو، ٢٢ ديسمبر ٢٠١٥- أعلنت شركة Mitsubishi Electric اليوم عن توسيعها خط إنتاج ترانزستور نتريد الغاليوم ذي حركة الإلكترونات العالية (GaN-HEMT) للاستخدام في محطات الإرسال والاستقبال القاعدية (BTS) التي تعمل بنطاق ٣٫٥ جيجا هرتز لأنظمة الاتصالات المحمولة من الجيل الرابع. توفر ترنزستورات GaN-HEMT الأربعة الجديدة درجة طاقة خرج ودرجة كفاءة تعدان ضمن الدرجات العليا المتاحة حاليًا وفقًا لبحث الشركة اعتبارًا من ٢٢ ديسمبر. وسيتم طرح النماذج بدءًا من ١ فبراير.

ترنزستورات GaN-HEMT (بدءًا من اليسار) MGFS53G38ET1 وMGFS50G38ET1 وMGFS38G38L2 وMGFS37G38L2 للاستخدام مع محطات الإرسال والاستقبال القاعدية (BTS) بنطاق ٣٫٥ جيجا هرتز للاتصالات المحمولة من الجيل الرابع

ترنزستورات GaN-HEMT (بدءًا من اليسار) MGFS53G38ET1 وMGFS50G38ET1 وMGFS38G38L2 وMGFS37G38L2 للاستخدام مع محطات الإرسال والاستقبال القاعدية (BTS) بنطاق ٣٫٥ جيجا هرتز للاتصالات المحمولة من الجيل الرابع

تزداد الاحتياجات إلى محطات الإرسال والاستقبال القاعدية (BTS) التي يمكنها توفير حجم بيانات أكبر، وحجم أصغر، واستهلاك طاقة أقل، وذلك نتيجة انتشار المعيار "التطور طويل الأمد" (LTE) وشبكات المحمول المتطورة التي تعتمد على المعيار (LTE). واستجابة لذلك، قامت Mitsubishi Electric بتطوير ترنزستورات GaN-HEMT الجديدة والمصممة للاستخدام في محطات الإرسال والاستقبال القاعدية (BTS) الماكرو وفي خلايا المايكرو ذات الأعداد الكبيرة والتي يستخدمها مشغلو شبكات المحمول لزيادة سعة البيانات الخاصة بشبكات الجيل الرابع المتطورة التي تعتمد على معيار LTE والتقنيات المتقدمة المرتبطة بمعيار (LTE).

ستستمر Mitsubishi Electric مستقبلاً في توسيع خط إنتاج GaN-HEMT للاستخدام مع طاقات الخرج والترددات المختلفة وفي أنظمة الاتصالات المحمولة ما بعد الجيل الرابع.

ميزات المنتج

١)مجموعة واسعة للمنتج

-حزمة من السيراميك بدون حواف ناتئة في الطرازين 180W و90W لمحطات الإرسال والاستقبال القاعدية (BTS) الخاصة بالخلايا الماكرو
-حزمة مصبوبة من البلاستيك في الطرازين 7W و5W لمحطات الإرسال والاستقبال القاعدية (BTS) الخاصة بالخلايا المايكرو

٢)GaN-HEMT وتحسين الترانزيستور للحصول على كفاءة عليا

-كفاءة عليا تساعد على تقليل حجم محطات الإرسال والاستقبال القاعدية (BTS) واستهلاك الطاقة بها
-يحقق الطراز 90W لمحطات الإرسال والاستقبال القاعدية (BTS) الخاصة بالخلايا الماكرو كفاءة استهلاك عالية (سحب الحمل) بنسبة ٧٤ بالمائة
-يحقق الطرازان 7W و5W لمحطات الإرسال والاستقبال القاعدية (BTS) الخاصة بالخلايا المايكرو كفاءة استهلاك عالية بنسبة ٦٧ بالمائة
-تتيح الكفاءة العالية استخدام نظام تبريد بسيط مما يؤدي إلى صغر حجم محطات الإرسال والاستقبال القاعدية (BTS) وقلة استهلاك الطاقة بها

٣)تقليل الحجم

- تقلل الحزم المصنعة من السيراميك بدون حواف ناتئة الموزعة في الأجهزة ووحدات مضخم الطاقة من حجم الأجهزة ذاتها ومن حجم وحدات مضخم الطاقة

تجدر الإشارة إلى أن النشرات الإخبارية دقيقة في وقت نشرها لكنها قد تكون عرضة للتغيير من دون إشعار.