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PARA LANÇAMENTO IMEDIATO N.º 3272

TÓQUIO, 27 de março de 2019 – A Mitsubishi Electric Corporation (TÓQUIO: 6503) anunciou hoje o lançamento de um novo díodo de barreira Schottky de carboneto de silício de 1200 V (SiC-SBD) que reduz a perda de energia e as dimensões físicas de sistemas de fornecimento de energia para sistemas de energia fotovoltaica de infraestruturas e muito mais. O envio de amostras começa em junho de 2019 e as vendas começam em janeiro de 2020.

Os díodos vão estar em exposição nas principais feiras comerciais, incluindo a MOTORTECH JAPAN 2019 durante a TECHNO-FROTIER 2019 no complexo de exposições Makuhari Messe, em Chiba, no Japão, de 17 a 19 de abril, na PCIM Europe 2019 em Nuremberga, na Alemanha, de 7 a 9 de maio, e na PCIM Asia 2019, em Xangai, na China, de 26 a 28 de junho.

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  Estrutura SiC-SBD TO-247 de 1200 V

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  Estrutura SiC-SBD TO-247-2 de 1200 V

Funcionalidades do produto

1. 1) O carboneto de silício ajuda a reduzir a perda de energia e as dimensões da estrutura
   • A conversão melhorada de energia traduz-se em 21% menos de perda de energia em comparação com produtos fabricados a partir de silício (Si)
   • Permite a comutação a alta velocidade e a redução das dimensões de componentes periféricos, como reatores


2. 2) Maior fiabilidade graças à estrutura de barreira Schottky com junção (JBS)
   • Combinação de uma barreira Schottky com uma junção p-n
   • A estrutura JBS permite atingir uma elevada fiabilidade


3. 3) Permite expandir a linha para várias aplicações
   • A estrutura TO-247-2, com uma distância de segurança de isolamento alargada, junta-se à estrutura TO-247 existente para abranger uma vasta gama de aplicações, incluindo bens de consumo.
   • Em conformidade com a especificação AEC-Q101 do Automotive Electronics Council para utilização em automóveis (apenas BD20120SJ)

Calendário de vendas