Comunicati stampa

Mitsubishi Electric si prepara a lanciare i moduli di potenza completamente in SiC (Full-SiC) di seconda generazione per il settore industriale

In questo modo, contribuirà a rendere più efficienti, più piccole e più leggere le apparecchiature per elettronica di potenza

Il presente testo è una traduzione della versione inglese ufficiale del comunicato stampa e viene fornito unicamente per comodità di consultazione. Fare riferimento al testo inglese originale per conoscere i dettagli e/o le specifiche. In caso di eventuali discrepanze, prevale il contenuto della versione inglese originale.

DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3372

TOKYO, 15 settembre 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi il lancio imminente dei moduli di potenza, per il settore industriale, completamente in carburo di silicio (Full-SiC) dotati di chip in SiC di recente sviluppo. La bassa perdita di potenza e il funzionamento a elevata frequenza portante¹ che caratterizzano i chip SiC-MOSFET (transistor metallo-ossido-semiconduttore a effetto di campo) e SiC-SBD (diodo a barriera Schottky) dei moduli promuoveranno lo sviluppo di apparecchiature di potenza più efficienti, più piccole e più leggere, in diversi settori industriali. Le vendite inizieranno a gennaio 2021.

1Frequenza che determina la temporizzazione ON/OFF dell'elemento di commutazione in un circuito invertitore.

1200 V/600 A, 800 A 2 in 1 1700 V/300 A, circuito chopper RTC integrato 2 in 1
1200 V/300 A, 400 A, circuito RTC integrato 4 in 1
1200 V/1200 A, circuito RTC integrato 2 in 1
1200 V/400 A 4 in 1 1200 V/800 A 2 in 1

Caratteristiche del prodotto

1)Promuoverà lo sviluppo di apparecchiature industriali a elevata efficienza energetica, più piccole e più leggere
- La tecnologia di drogaggio del transistor a effetto di campo a giunzione (JFET)² riduce la resistenza di ON di circa il 15% rispetto a quella dei prodotti SiC convenzionali³.
- La riduzione della capacità di trasferimento⁴ consente una commutazione rapida e riduce la perdita di commutazione.
- Il SiC-MOSFET e il SiC-SBD integrati contribuiscono a ridurre la perdita di potenza di circa il 70% rispetto ai moduli Si-IGBT convenzionali di Mitsubishi Electric.
- La minore perdita di potenza e il funzionamento a elevata frequenza portante promuoveranno lo sviluppo di componenti esterni, come reattori e raffreddatori, più piccoli e leggeri.
1. 2 Aumenta la densità del dispositivo aumentando la densità di impurità nell'area JFET.
2. 3 Moduli SiC Mitsubishi Electric di prima generazione (con lo stesso valore nominale) per uso industriale.
3. 4 Capacità parassita tra gate e drain presente nella struttura MOSFET (Crss)che influisce sul tempo di commutazione.
2)Il circuito RTC (controllo in tempo reale) bilancia le prestazioni in cortocircuito e la bassa resistenza di ON
- Prestazioni in cortocircuito sicure e bassa resistenza di ON ottenute con il circuito RTC5 che blocca la corrente eccessiva durante i cortocircuiti.
- In caso di cortocircuito, blocca in modo sicuro la corrente eccessiva da un circuito di protezione esterno, monitorando il segnale di rilevamento dei cortocircuiti.
1. 5 Eccetto i modelli FMF400BX-24B e FMF800DX-24B.
3)Layout dei chip interni ottimizzato per una migliore dissipazione del calore
- Il posizionamento decentrato e ottimizzato dei chip SiC-MOSFET e SiC-SBD all'interno dei moduli contribuisce a migliorare la dissipazione del calore, consentendo così l'uso di raffreddatori più piccoli o privi di ventola.