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Mitsubishi Electric acquisirà una fabbrica per espandere la propria attività nel settore dei dispositivi di potenzaServirà a soddisfare la crescente domanda di dispositivi di potenza per contribuire al risparmio energetico e alla riduzione delle emissioni di anidride carbonica

Il presente testo è una traduzione della versione inglese ufficiale del comunicato stampa e viene fornito unicamente per comodità di consultazione. Fare riferimento al testo inglese originale per conoscere i dettagli e/o le specifiche. In caso di eventuali discrepanze, prevale il contenuto della versione inglese originale.

DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3359

TOKYO, 11 giugno 2020 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi che acquisirà edifici e terreni da Sharp Fukuyama Semiconductor Co., Ltd., una società interamente controllata da Sharp Corporation con sede a Fukuyama, Prefettura di Hiroshima, Giappone. Le proprietà acquisite saranno il nuovo sito in cui Mitsubishi Electric Power Device Works elaborerà i wafer per la produzione di semiconduttori di potenza. I nuovi impianti di produzione, il cui inizio delle operazioni è previsto per novembre del prossimo anno, consentiranno a Mitsubishi Electric di espandere la propria attività nel settore dei dispositivi di potenza.
La domanda di semiconduttori di potenza, necessari per controllare in modo efficiente l'energia elettrica, è in rapida crescita così come i tentativi di risparmiare energia e proteggere l'ambiente globale attraverso misure di riduzione delle emissioni di anidride carbonica, incluso il processo di elettrificazione delle automobili in corso a livello mondiale.
Per soddisfare questa crescente domanda, Mitsubishi Electric ha condotto una ricerca volta a individuare nuovi potenziali siti di produzione. Come risultato di tale ricerca, l'azienda ha raggiunto un accordo con Sharp Corporation per l'acquisizione di edifici e terreni di proprietà di Sharp Fukuyama Semiconductor.

Nuovo sito di produzione

UbicazioneFukuyama, Prefettura di Hiroshima, Giappone
StrutturaEdificio a tre piani (46.500 m2 di spazio calpestabile totale)
FinalitàElaborazione dei wafer per semiconduttori di potenza
InvestimentoCirca 20 miliardi di yen

Nota

I comunicati stampa contengono informazioni accurate al momento della pubblicazione, ma possono essere soggetti a variazioni senza preavviso.


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