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DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3323
TOKYO, 12 dicembre 2019 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi l'ampliamento della sua gamma di transistor a effetto di campo ad alta mobilità elettronica basati su nitruro di gallio (GaN-HEMT) per le stazioni terrestri per comunicazioni satellitari (SATCOM) con l'aggiunta di nuovi GaN-HEMT in banda Ku (12-18 GHz) da 70 W e 100 W, adatti per l'applicazione nei sistemi multi-carrier. Il modello di GaN-HEMT da 70 W consente di ottenere una bassa distorsione di intermodulazione del terzo ordine (IMD3)* con un'ampia frequenza di offset** fino a 400 MHz, considerata la migliore nel settore, mentre il modello di GaN-HEMT da 100 W combina un'impareggiabile potenza di uscita con una bassa IMD3 e una frequenza di offset fino a 200 MHz. Mitsubishi Electric inizierà a spedire i primi campioni di entrambi i modelli il 15 gennaio.
GaN-HEMT per le stazioni terrestri SATCOM in banda Ku
A sinistra: MGFK50G3745A (100 W) A destra: MGFK48G3745A (70 W)
La richiesta di comunicazioni satellitari in banda Ku e di sistemi per la ritrasmissione di informazioni via satellite (SNG) è in rapida crescita; si rendono infatti necessarie per il supporto alle comunicazioni nel corso di catastrofi naturali e nelle zone rurali dove è difficile l'installazione di attrezzature di rete via cavo. Inoltre, aumentano le esigenze relative a comunicazioni ad alta velocità e di sempre maggiore capacità per le comunicazioni satellitari con sistemi multi-carrier e single-carrier. Si prevede che i nuovi GaN-HEMT di Mitsubishi Electric faranno accelerare la realizzazione di stazioni terrestri più piccole e di comunicazioni più veloci e di maggiore capacità per le diverse esigenze.
Prodotto | Applicazione | Modello | Panoramica | Spedizione | ||
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Frequenza | Potenza di uscita satura | Frequenza di offset | ||||
GaN -HEMT in banda Ku |
Stazioni terrestri SATCOM |
MGFK48G3745A | 13,75-14,5 GHz | 48,3 dBm (70 W) |
Fino a 400 MHz | 15 gen. 2020 |
MGFK50G3745A | 50,0 dBm (100 W) |
Fino a 200 MHz |
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