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DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3272

TOKYO, 27 marzo 2019 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi il lancio di un nuovo diodo a barriera Schottky in carburo di silicio (SiC-SBD) da 1200 V che consente di ridurre la perdita di potenza e le dimensioni fisiche dei sistemi di alimentazione per i sistemi fotovoltaici, dell'infrastruttura e altri sistemi. La spedizione dei campioni avrà inizio nel mese di giugno 2019 e la vendita nel mese di gennaio 2020.

I diodi saranno esposti in occasione delle principali fiere, tra le quali MOTORTECH JAPAN 2019 durante l'evento TECHNO-FRONTIER 2019, presso il complesso fieristico Makuhari a Chiba dal 17 al 19 aprile, in Giappone, PCIM Europe 2019, dal 7 al 9 maggio a Norimberga, in Germania e PCIM Asia 2019, dal 26 al 28 giugno a Shanghai, in Cina.

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  Pacchetto SiC-SBD TO-247 1200 V

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  Pacchetto SiC-SBD TO-247-2 1200 V

Caratteristiche del prodotto

1. 1) Il carburo di silicio contribuisce a ridurre la perdita di potenza e le dimensioni del package
   • La conversione di energia ottimizzata consente di ottenere circa il 21% in meno di perdita di potenza rispetto ai prodotti in silicio (Si)
   • Esso permette una commutazione ad alta velocità e la riduzione delle dimensioni dei componenti periferici quali i reattori


2. 2) Affidabilità migliorata grazie alla struttura a barriera Schottky con giunzione (JBS)
   • Combina la barriera Schottky con la giunzione p-n
   • La struttura JBS consente di ottenere un'elevata affidabilità


3. 3) Espansione della linea di prodotti per diverse applicazioni
   • Il package TO-247-2, con il maggiore spazio libero dell'isolamento, si unisce al package già esistente TO-247 per servire una vasta gamma di applicazioni, inclusi i beni di consumo.
   • Conforme alla specifica AEC-Q101 dell'Automotive Electronics Council per automobili (solo BD20120SJ)

Programma di vendita