DA PUBBLICARE IMMEDIATAMENTE N. 3046
Per BTS di piccole dimensioni e basso consumo energetico ad alte prestazioni
TOKYO, 31 agosto 2016 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi di avere sviluppato un transistor a effetto di campo ad alta mobilità elettronica basato su nitruro di gallio (GaN-HEMT) con potenza di uscita di 220 W, che offre un'efficienza tra le migliori al mondo*, per l'utilizzo nelle stazioni radio base (BTS) impiegate nei sistemi di comunicazione mobile in banda da 2,6 GHz di quarta generazione (4G). A partire dal 1° novembre verranno rilasciati dei campioni.
*Secondo le ricerche di Mitsubishi Electric alla data del 31 agosto 2016
I sistemi di comunicazione mobile ad alta velocità 4G, inclusi quelli basati su Long Term Evolution (LTE) e LTE-Advanced, vengono equipaggiati con BTS a macrocelle di dimensioni sempre più ridotte al fine di aumentare la capacità di dati e di ridurre il consumo energetico. Si prevede che il nuovo GaN-HEMT di Mitsubishi Electric, altamente efficiente per BTS a macrocelle in banda da 2,6 GHz, aiuterà a realizzare BTS di dimensioni ancora più ridotte e a più basso consumo energetico.
Il presente testo è una traduzione della versione inglese ufficiale del comunicato stampa e viene fornito unicamente per comodità a scopo di riferimento. Fare riferimento al testo inglese originale per conoscere i dettagli e/o le specifiche. In caso di eventuali discrepanze, prevale il contenuto della versione inglese originale.
I comunicati contengono informazioni accurate al momento della pubblicazione, ma possono essere soggetti a variazioni senza preavviso.