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Mitsubishi Electric sviluppa il modulo HVIGBT X-Series New Dual

Modulo a semiconduttori ad alta potenza di nuova generazione con package standard per una maggiore flessibilità

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TOKYO, 6 aprile 2016 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi di aver messo a punto un modulo di potenza di nuova generazione denominato HVIGBT X-Series New Dual per applicazioni di trazione e potenza nell'industria pesante. Il nuovo modulo consente di realizzare inverter con una più elevata densità di potenza e una maggiore efficienza, mentre il formato standard del package assicura maggiore flessibilità nella progettazione dei relativi impianti.

A partire dal mese di marzo 2017 saranno disponibili alcuni campioni della versione a 3,3 kV (LV100) del modulo New Dual, mentre nel 2018 seguiranno le versioni da 1,7 kV, 3,3 kV (HV100), 4,5 kV e 6,5 kV nell'ordine specificato. L'azienda prevede inoltre di aggiungere alla gamma una versione con potenza inferiore a 1,7 kV.

I moduli saranno esposti in occasione delle principali fiere, incluse MOTORTECH JAPAN 2016 durante l'evento TECHNO-FRONTIER 2016, dal 20 al 22 aprile in Giappone, Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2016 dal 10 al 12 maggio a Norimberga (Germania) e PCIM Asia 2016 dal 28 al 30 giugno a Shanghai (Cina).

Isolamento 6 kV package LV100

Isolamento 6 kV package LV100

Isolamento 10 kV package HV100

Isolamento 10 kV package HV100

I moduli ad alta potenza sono dispositivi essenziali per controllare la conversione della potenza negli impianti elettronici di varie classi di potenza, da svariati kilowatt fino a più megawatt. I prodotti reperibili sul mercato fino a oggi hanno una potenza nominale massima di 6,5 kV e una corrente nominale massima di varie migliaia di ampere.

Il modulo HVIGBT New Dual soddisferà la domanda di dispositivi a semiconduttori con un'efficienza e una densità di potenza elevate, fornendo al contempo una potenza e un'efficienza superiori agli inverter, grazie all'adozione di IGBT di settima generazione e diodi RFC. A queste caratteristiche si affiancano le dimensioni standardizzate del package, che semplificano la progettazione e consentono l'utilizzo di più sorgenti di alimentazione.

Caratteristiche del prodotto

1)
Maggiore efficienza energetica e densità di potenza elevata
-La settima generazione di IGBT con tecnologia CSTBTTM e diodi RFC assicura una perdita di tensione ridotta negli impianti con inverter.
-La tecnologia ottimizzata di questo package e la bassa induttanza parassita garantiscono le massime prestazioni.
-I tre morsetti CA principali del package LV100 distribuiscono ed equalizzano la densità della corrente, a tutto vantaggio di una superiore capacità dell'inverter.
2)
Telaio standard delle stesse dimensioni per inverter in svariate configurazioni e di diverse capacità
-I moduli LV100 e HV100 utilizzano un package dello stesso formato.
-I collegamenti standard e semplici facilitano la progettazione dell'impianto con svariate correnti nominali.
-Gamma da 1,7 a 6,5 kV.
-Maggiore flessibilità e scalabilità per la configurazione dell'impianto.
3)
Maggiore efficienza di progettazione grazie all'impiego di un nuovo package standardizzato
-Compatibile con le posizioni di fissaggio e dei morsetti dei prodotti Infineon Technologies AG (Germania).
Gamma di prodotti (programma)
Modello Tipo di
pacchetto
Tensione di
isolamento
Tensione
collettore-emettitore
Corrente
nominale
massima
Collegamento Dimensioni Disponibilità
Modulo HVIGBT

X-Series
New Dual
LV100 6 kV 1,7 kV 900 A 2 in 1 L: 100 mm
x
P: 140 mm
x
A: 40 mm
A partire dal 2018
3,3 kV 450 A Marzo 2017
HV100 10 kV 3,3 kV 450 A A partire dal 2018
4,5 kV 330 A
6,5 kV 225 A

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