Restiamo all'avanguardia per supportare un futuro sostenibile. I dispositivi a semiconduttori di potenza sono essenziali per realizzare una vasta gamma di apparecchiature con elettronica di potenza più efficiente dal punto di vista energetico: dai sistemi di trazione ferroviaria e automotive, ai robot industriali e i sistemi di climatizzazione. Grazie allo sviluppo di dispositivi a semiconduttori di potenza, Mitsubishi Electric contribuisce alla formazione di una società a bassa emissione di anidride carbonica e al miglioramento della vita di tutti.

Panoramica

Miglior quota di mercato mondiale*

I nostri dispositivi a semiconduttori di potenza sono utilizzati praticamente in ogni apparecchiatura con elettronica di potenza, tra cui dispositivi elettronici per uso domestico, sistemi di trazione, automobili e distribuzione di elettricità. Grazie alla leadership di lunga data nelle quote del mercato mondiale, Mitsubishi Electric contribuisce significativamente alla conservazione di energia e alla riduzione delle dimensioni e del peso delle apparecchiature per elettronica di potenza.
*Con riferimento ai moduli IGBT (febbraio 2017), sulla base della ricerca di Mitsubishi Electric.

Dispositivi a semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC)

Continuiamo a esplorare il potenziale del carburo di silicio (SiC). Le speciali caratteristiche del materiale sono in grado di ridurre drasticamente la perdita di potenza, aumentando in maniera determinante l'efficienza energetica dei dispositivi per elettronica di potenza. Mitsubishi Electric ha iniziato a sviluppare gli elementi necessari per la tecnologia SiC nei primi anni Novanta ed è rimasta all'avanguardia in questo settore a livello mondiale grazie allo sviluppo di versioni commerciali di dispositivi a semiconduttori di potenza al SiC e dei prodotti che li contengono, con a supporto dati che attestano il basso consumo energetico delle loro prestazioni.

Prodotti

Semiconduttori e dispositivi

Storia

Anni 1950

Mitsubishi Electric inizia a fare ricerca sui dispositivi a semiconduttori di potenza negli anni 1950.

1958

Viene sviluppato e commercializzato il primo dispositivo a semiconduttori di potenza del Giappone.

Anni 1990

Lo sviluppo di un innovativo prodotto con il nuovo materiale, il dispositivo a semiconduttori di potenza al carburo di silicio (SiC), permette di mantenere il vantaggio sulle altre aziende.

2010

Viene installato un dispositivo a semiconduttori di potenza in SiC nelle (nostre) unità di climatizzazione d'aria, un primato mondiale.

2012

Inizia l'invio di campioni di moduli a semiconduttori di potenza SiC sul mercato mondiale.

2015

Viene installato un sistema a trazione per automotrici con moduli a semiconduttori di potenza SiC sui treni "proiettile" della Shinkansen, la rete ferroviaria giapponese ad alta velocità.

Ricerca e sviluppo / Tecnologie

Briefing sui dispositivi di potenza

Con il costante impegno di ridurre i costi della produzione in SiC e aumentare le sue prestazioni, costituiamo un'azienda leader a livello mondiale nella cruciale produzione di dispositivi di potenza a basso consumo energetico.

Ampliamento della gamma di moduli DIPIPM di grandi dimensioni da 1200V Ver. 6

L'aggiunta di questa novità alla nostra offerta di prodotti rappresenta un importante primato: una corrente nominale di 75 A per il modulo DIPIPM che interessa la gamma di climatizzatori d'aria Package da 40 kW.

Moduli di potenza ibridi in SiC a elevata capacità

L'integrazione di inverter di trazione con moduli di potenza ibridi in SiC a elevata capacità nelle automotrici ha dimostrato dal febbraio del 2012 una riduzione dei consumi energetici nelle operazioni commerciali.