Communiqués de presse

Mitsubishi Electric étend sa gamme de transistors à haute mobilité d'électrons à bande Ku (GaN-HEMT)Les nouveaux modèles prendront en charge les communications multi-porteuses, augmenteront la capacité de transmission des données et réduiront la taille des stations terrestres de télécommunication par satellite

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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3323

TOKYO, 12 décembre 2019 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui l'élargissement de sa gamme de transistors à haute mobilité d'électrons au nitrure de gallium (GaN-HEMT) pour les stations terrestres de télécommunication par satellite (SATCOM) avec l'ajout de nouveaux transistors GaN-HEMT à bande Ku (12-18 GHz) de 70 W et 100 W adaptés aux applications multi-porteuses. Le modèle GaN-HEMT de 70 W permet d'obtenir une faible distorsion d'intermodulation de troisième ordre (IMD3)* avec une large fréquence de décalage^** de 400 MHz, soit le plus haut niveau du secteur. Le modèle GaN-HEMT de 100 W dispose quant à lui d'une puissance de sortie inégalée, d'une faible IMD3 et d'une fréquence de décalage allant jusqu'à 200 MHz. Mitsubishi Electric enverra des échantillons de ces deux modèles à compter du 15 janvier.

* Mesure des performances de distorsion d'un amplificateur dans le cas de signaux à deux tonalités
** Différence de fréquence entre des signaux à deux tonalités lors de mesures pour l'IMD3

GaN-HEMT pour stations terrestres de télécommunication par satellite à bande Ku
Gauche : MGFK50G3745A (100 W) Droite : MGFK48G3745A (70 W)

Les communications par satellite à bande Ku et la collecte d'informations par satellite (SNG) sont de plus en plus nécessaires pour prendre en charge les communications en cas de catastrophes naturelles et dans les zones rurales où l'installation d'un réseau câblé est difficile. En outre, les communications grande capacité et haut débit ont fait augmenter les besoins en matière de communications multi-porteuses et monoporteuses par satellite. Les nouveaux transistors GaN-HEMT de Mitsubishi Electric devraient accélérer la construction de stations terrestres plus petites, et ainsi permettre des communications à plus haut débit et à plus grande capacité pour répondre à divers besoins.

Planning des ventes

Produit	Application	Modèle	Résumé			Livraison
Produit	Application	Modèle	Fréquence	Puissance de sortie saturée	Fréquence de décalage	Livraison
Transistors GaN-HEMT à bande Ku	Stations terrestres de télécommunication par satellite	MGFK48G3745A	13,75 à 14,5 GHz	48,3 dBm (70 W)	Jusqu'à 400 MHz	15 janvier 2020
Transistors GaN-HEMT à bande Ku	Stations terrestres de télécommunication par satellite	MGFK50G3745A	13,75 à 14,5 GHz	50,0 dBm (100 W)	Jusqu'à 200 MHz	15 janvier 2020

Caractéristiques du produit

1)Fréquence de décalage inégalée jusqu'à 400 MHz pour les communications grande capacité par satellite
- Le modèle MGFK48G3745A utilise un nouveau circuit d'impédance pour fournir une large fréquence de décalage, 80 fois supérieure à celle des modèles actuels, ainsi qu'une faible IMD3 avec une large fréquence de décalage allant jusqu'à 400 MHz, pour des communications par satellite haut débit et grande capacité, y compris pour les communications multi-porteuses.
2)Puissance de sortie jusqu'à 100 W qui contribue à réduire la taille des stations terrestres de télécommunication par satellite
- Le modèle MGFK50G3745A utilise des circuits d'impédance de transistors optimisés pour fournir une puissance de sortie maximale de 100 W et une faible IMD3. Cela permet de réduire la taille des stations terrestres de télécommunication par satellite en minimisant les composants embarqués.