POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 3104

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Mitsubishi Electric lance les modules LV100-type X-Series IGBT haute tension

La densité élevée de courant contribuera à une augmentation de la puissance au sein des systèmes d'onduleur

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TOKYO, 11 mai 2017 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui le lancement séquentiel de deux nouveaux modules LV100-type X-Series IGBT haute tension en septembre. Ces modules, qui offrent la plus haute densité de courant disponible sur le marché, permettront aux systèmes d'onduleur d'augmenter leur puissance et leur efficacité, d'atteindre des configurations plus souples et une plus grande fiabilité. En outre, une seconde gamme de modules SiC est également prévue. Les modules IGBT haute tension de Mitsubishi Electric jouent un rôle essentiel dans le contrôle de la conversion d'énergie dans les systèmes électroniques industriels pour la traction ferroviaire, la transmission d'énergie et d'autres grandes applications industrielles.

Les nouveaux modules seront exposés au Power Conversion and Intelligent Motion (PCIM) Europe 2017 à Nuremberg, en Allemagne, du 16 au 18 mai, et au PCIM Asia 2017 à Shanghai, en Chine, du 27 au 29 juin.

Module LV100-type X-Series IGBT haute tension

Planning des ventes

Produit Modèle Spécification Livraison
Module LV100-type
X-Series IGBT
haute tension		 CM450DA-66X 3,3 kV / 450 A / 2-en-1 À partir de septembre 2017
CM600DA-66X 3,3 kV / 600 A / 2-en-1

Caractéristiques du produit

1)
Une densité de puissance à la pointe du marché pour des capacités encore augmentées
- La septième génération d'IGBT (CSTBT) et diodes (RFC) permet d'atteindre la plus haute densité de puissance de 8,57 A/cm2 pour un module 3,3 kV/600 A.
- Trois terminaux principaux AC permettent une meilleure distribution de la densité du courant, améliorant ainsi les capacités de l'élément de puissance
2)
Connexion en parallèle facile pour des configurations et capacités flexibles
- La configuration du terminal est optimisée pour faciliter la connexion en parallèle et permettre une flexibilité des configurations et capacités de l'onduleur
3)
Nouvelle structure pour plus de fiabilité
- L'intégration de la plaque d'isolation et du dissipateur de chaleur augmente la durée de cyclage thermique pour un cycle de températures du boîtier relativement long
- La résistance thermique plus faible augmente la durée du cycle de puissance pour un cycle de températures de puce relativement court

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