POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 3046

Mitsubishi Electric dévoile un exemplaire de son GaN-HEMT avec une puissance de sortie de 220 W pour les stations émettrices-réceptrices de base à communication mobile 4G et à bande 2,6 GHz

Destiné aux BTS de petite taille et à faible consommation d'énergie pour des performances élevées

Version PDF

TOKYO, 31 août 2016 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui avoir développé un transistor à électron à haute mobilité au nitrure de gallium (GaN-HEMT) avec une puissance de sortie de 220 W, offrant une efficacité de premier plan* pour les stations émettrices-réceptrices de base (BTS) fonctionnant dans les systèmes de communication mobile de quatrième génération (4G) à bande 2,6 GHz. Des échantillons seront mis à disposition à partir du 1er novembre.

*Selon Mitsubishi Electric, à partir du 31 août 2016

Nouveau GaN-HEMT pour BTS 4G 2,6 GHz (MGFS53G27ET1)

Les systèmes de communication mobile 4G à haute vitesse, intégrant les réseaux LTE (Long Term Evolution) et LTE-Advanced, sont sur le point d'être équipés de BTS à macrocellules de plus en plus petites, afin d'augmenter la capacité de données et de réduire la consommation d'énergie. Le nouveau GaN-HEMT hautement efficace de Mitsubishi Electric pour les BTS macrocellules à bande 2,6 GHz a pour objectif d'aider à concevoir des BTS toujours plus petits et à puissance plus faible.

Caractéristiques du produit

1)
Efficacité et optimisation des transistors de premier plan
-Rendement de drain élevé** de 74 %
-Le rendement élevé permet un système de refroidissement plus simple, qui réduit la taille du BTS et la consommation d'énergie
2)
Réduction de la taille
-L'ensemble en céramique sans bride réduit la taille du dispositif même, ainsi que celle des modules d'amplification de la puissance auxquels ils sont associés
3)
Gamme GaN-HEMT étendue
-Ensemble en céramique sans bride ajouté dans les modèles 220 W pour les BTS macrocellules à bande 2,6 GHz
**Mesure du load pull

Ce texte est une traduction de la version anglaise officielle de ce communiqué de presse. Il est fourni à titre de référence et pour votre confort uniquement. Pour tout détail ou spécificité, veuillez vous reporter à la version anglaise d'origine. La version anglaise d'origine prime, en cas de divergence.

Veuillez noter que les communiques sont exacts au moment de la publication, mais peuvent etre sujets a modifications sans preavis.