POUR DIFFUSION IMMÉDIATE, n° 3046
Destiné aux BTS de petite taille et à faible consommation d'énergie pour des performances élevées
TOKYO, 31 août 2016 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd'hui avoir développé un transistor à électron à haute mobilité au nitrure de gallium (GaN-HEMT) avec une puissance de sortie de 220 W, offrant une efficacité de premier plan* pour les stations émettrices-réceptrices de base (BTS) fonctionnant dans les systèmes de communication mobile de quatrième génération (4G) à bande 2,6 GHz. Des échantillons seront mis à disposition à partir du 1er novembre.
*Selon Mitsubishi Electric, à partir du 31 août 2016
Les systèmes de communication mobile 4G à haute vitesse, intégrant les réseaux LTE (Long Term Evolution) et LTE-Advanced, sont sur le point d'être équipés de BTS à macrocellules de plus en plus petites, afin d'augmenter la capacité de données et de réduire la consommation d'énergie. Le nouveau GaN-HEMT hautement efficace de Mitsubishi Electric pour les BTS macrocellules à bande 2,6 GHz a pour objectif d'aider à concevoir des BTS toujours plus petits et à puissance plus faible.
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