Comunicados de prensa
Mitsubishi Electric enviará muestras de matrices desnudas de MOSFET de SiC para vehículos eléctricos de todo tipo (xEV)El chip semiconductor de potencia estandarizado permitirá ampliar la autonomía de conducción y reducirá los costes asociados a la energía de los xEV
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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3748
Representación de una oblea con MOSFET de SiC para xEV (a la izquierda) y representación del diseño de una matriz desnuda de MOSFET de SiC para xEV de la cual se enviarán muestras (a la derecha)
TOKIO, 12 de noviembre de 2024 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que el 14 de noviembre comenzará a enviar muestras de matrices desnudas de un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) para su uso en los inversores de los motores de tracción de vehículos eléctricos (EV), vehículos híbridos enchufables (PHEV) y otros vehículos eléctricos (xEV). El primer chip semiconductor de potencia MOSFET de SiC de especificación estándar de Mitsubishi Electric permitirá a la compañía responder a la proliferación de una gran variedad de inversores para xEV en el mercado y aportar su granito de arena en un sector que no para de crecer. La nueva matriz desnuda de MOSFET de SiC para xEV combina una estructura de chip patentada y tecnologías de fabricación que contribuyen a la descarbonización, ya que mejoran el rendimiento del inversor, aumentan la autonomía de conducción y mejoran la eficiencia energética de los xEV.
El nuevo chip semiconductor de potencia de Mitsubishi Electric es un MOSFET de SiC de surco* patentado que reduce la pérdida de potencia aproximadamente un 50 % en comparación con los MOSFET de SiC planos** convencionales. Gracias a tecnologías de fabricación patentadas, como un proceso de película de óxido de puerta que suprime las fluctuaciones en la pérdida de potencia y la resistencia de encendido, el nuevo chip logra una estabilidad a largo plazo que contribuye a la durabilidad del inversor y el rendimiento del xEV.
- *El surco se realiza en la superficie de la oblea y en él se integra el electrodo de puerta.
- **El electrodo de puerta se coloca en la superficie de la oblea.
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