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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3733

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  Corte de obleas de silicio de 12 pulgadas para fabricar chips

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  Línea para procesar obleas de silicio de 12 pulgadas (oblea de 8 pulgadas a la derecha)

TOKIO, 30 de septiembre de 2024 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que la fábrica de Fukuyama de Power Device Works ha iniciado el suministro a gran escala de chips semiconductores de potencia fabricados a partir de obleas de silicio (Si) de 12 pulgadas para el ensamblaje de módulos semiconductores, con efecto inmediato. Los avanzados módulos semiconductores de potencia de silicio se utilizarán inicialmente en productos de consumo. De cara al futuro, Mitsubishi Electric espera contribuir a la transformación verde (GX) proporcionando un suministro estable y puntual de chips semiconductores para satisfacer la creciente demanda de dispositivos de electrónica de potencia de bajo consumo en diversas aplicaciones.

La fábrica de Fukuyama procesa obleas para la producción de semiconductores de potencia de silicio. La fábrica está desempeñando un papel clave en el plan a medio plazo de Mitsubishi Electric de duplicar su capacidad de procesamiento de obleas para semiconductores de potencia de silicio para el año fiscal 2026 en comparación con cinco años antes. Al suministrar grandes cantidades de obleas de silicio de 12 pulgadas para chips semiconductores de potencia, la empresa garantizará una producción estable de módulos semiconductores de potencia de silicio avanzados para equipos de electrónica de potencia de bajo consumo.

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