Comunicados de prensa

Mitsubishi Electric comercializa dos nuevos módulos MOSFET SiC integrados con SBDPara una mayor potencia y eficiencia de los sistemas de inversores en sistemas de energía eléctrica, ferroviarios y muchos más

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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3709

Módulo MOSFET SiC integrado con SBD de 3,3 kV Unifull™


TOKIO, 10 de junio de 2024 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que ha comenzado a comercializar versiones de 3,3k V/400 A y 3,3 kV/200 A de baja corriente de un módulo de transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) integrado con un diodo de barrera Schottky (SBD) para grandes equipos industriales, así como para material rodante y sistemas de energía eléctrica, a partir de hoy, día 10 de junio. Junto con la versión existente de 3,3 kV/800 A, la nueva serie Unifull™ consta de tres módulos para satisfacer la creciente demanda de inversores capaces de aumentar la salida de potencia y la eficiencia de conversión de potencia en grandes equipos industriales. Los nuevos módulos se mostrarán en las principales ferias comerciales, incluida la Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2024 en Nuremberg (Alemania), del 11 al 13 de junio.

Los módulos MOSFET SiC integrados con SBD de Mitsubishi Electric, incluida la versión de 3,3 kV/800 A lanzada el 29 de marzo, cuentan con una estructura de encapsulado optimizada para reducir la pérdida de conmutación y mejorar el rendimiento del SiC. En comparación con los módulos de potencia existentes, los módulos Unifull™ reducen considerablemente la pérdida de conmutación y contribuyen a una mayor potencia de salida y eficiencia en grandes equipos industriales, convirtiéndose así en una solución ideal para fuentes de alimentación auxiliares en sistemas ferroviarios y de propulsión con capacidades relativamente pequeñas.


Nota

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