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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3597

Módulo 3,3 kV MOSFET de SiC integrado en SBD

TOKIO, 8 de mayo de 2023: Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que comenzará a enviar muestras de un nuevo módulo de transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) integrado en carburo de silicio (SiC) con diodo de barrera Schottky (SBD), una tensión soportada dual de 3,3 kV y una rigidez dieléctrica de 6,0 kVrms, el 31 de mayo. Se espera que el nuevo módulo ofrezca una mayor potencia, eficiencia y fiabilidad en sistemas inversores para grandes equipos industriales, como sistemas de energía eléctrica y ferroviarios. Se exhibirá en las principales ferias comerciales, incluida la Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2023 en Nuremberg (Alemania), del 9 al 11 de mayo.

Mitsubishi Electric ya ha lanzado cuatro módulos SiC completos y dos módulos LV100 de tipo doble de alta tensión de 3,3 kV. Para contribuir aún más a la alta potencia de salida, la eficiencia y la fiabilidad de los inversores para grandes equipos industriales, la empresa comenzará a suministrar muestras de su nuevo módulo, que reduce la pérdida de conmutación como un MOSFET de SiC con un SBD integrado y una estructura de paquete optimizada.

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