Comunicados de prensa
Mitsubishi Electric enviará muestras de chip de diodo láser sintonizable para la comunicación de fibra ópticaAumentará la capacidad de comunicación digital coherente y reducirá el tamaño de los transceptores ópticos
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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3543
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Chip de diodo láser sintonizable (imagen)
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Ejemplo de aplicación del chip de diodo láser sintonizable
TOKIO, 1 de septiembre de 2022 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que el 1 de octubre comenzará a enviar muestras de su nuevo chip de diodo láser sintonizable para su uso en transceptores ópticos de sistemas de comunicación de fibra óptica. Se espera que el nuevo chip ayude a aumentar la capacidad de comunicación digital coherente, así como a reducir el tamaño de los transceptores ópticos.
El volumen de comunicación de datos está aumentando rápidamente debido al uso cada vez más extendido de las redes de comunicación móvil 5G y a la popularización de los servicios de transmisión de vídeo. Como consecuencia, la capacidad de comunicación de alta velocidad debe aumentarse de los 100 Gbps actuales a 400 Gbps en redes de fibra óptica tanto para la comunicación entre centros de datos como para la comunicación a larga distancia. Por este motivo, ahora se están implementando sistemas de comunicación digital coherentes a fin de mejorar la eficiencia de las comunicaciones en las redes de fibra óptica. Al mismo tiempo, sin embargo, los transceptores ópticos deben ser de un tamaño más reducido para adaptarse a las limitaciones de espacio en los equipos de red, pero hasta ahora se han incorporado diodos láser sintonizables en los encapsulados, lo que dificulta la reducción de tamaño.
El nuevo chip produce una longitud de onda del espectro visible de luz de 1,55 μm que se utiliza para la comunicación digital coherente. Además, admite un amplio rango de longitudes de onda según el estándar de transceptor óptico de 400 Gbps (OIF-400ZR-01.0). Presentar el producto en forma de chip ofrecerá a los fabricantes la flexibilidad necesaria para optimizar los diseños de encapsulados que requieren los transceptores ópticos específicos. El diseño altamente fiable del chip incorpora la tecnología de producción de semiconductores Mitsubishi Electric, desarrollada para la producción de láser de retroalimentación distribuida (DFB) en estaciones base móviles y de diodo láser integrado de modulador de electroabsorción (EML) en centros de datos.
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Public Relations Division Mitsubishi Electric Corporation
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