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PARA SU PUBLICACIÓN INMEDIATA N.º 3537

Módulo MOSFET de RF de alta potencia de silicio (RA50H7687M1)

TOKIO, 14 de julio de 2022 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) anunció hoy que el 1 de agosto lanzará un módulo de transistor de efecto de campo (MOSFET) metal-óxido semiconductor de alta potencia y radiofrecuencia (RF) de silicio de 50 W para su uso en amplificadores de potencia de alta frecuencia de radios bidireccionales comerciales. Se espera que el modelo, que ofrece una salida de potencia líder del sector¹ de 50 W en la banda de 763 MHz a 870 MHz y una alta eficiencia total² del 40 %, ayude a ampliar el alcance de la comunicación por radio y a reducir el consumo de energía.

Las bandas de frecuencia de 150 MHz y 400 MHz utilizadas para varios sistemas inalámbricos se han congestionado en Norteamérica y otros mercados, por lo que la banda de 700 MHz, anteriormente utilizada para la emisión de televisión analógica, se ha reasignado para la radio bidireccional comercial, lo que aumenta la demanda de radios compatibles con esta banda. Los amplificadores de potencia convencionales, sin embargo, experimentan una gran pérdida de potencia, por lo que es necesario disponer de módulos MOSFET de RF de alta potencia que ofrezcan un circuito integrado de impedancia de entrada/salida coincidente³ y un rendimiento de potencia de salida garantizado. Se espera que el nuevo MOSFET de RF de alta potencia de silicio (RA50H7687M1), que alcanza una salida de potencia sin igual y una elevada eficiencia total para radios comerciales compatibles con la banda de 700 MHz GHz, amplíe el alcance de comunicación y reduzca el consumo de energía de dichas radios.

1. 1A 14 de julio de 2022, según el estudio realizado por Mitsubishi Electric sobre amplificadores de potencia en la banda de 763 MHz a 870 MHz con potencia de entrada de 50 mW
2. 2Eficiencia de potencia convertida a ondas de alta frecuencia
3. 3Circuito que suprime la pérdida y transmite señales mediante la correspondencia de impedancias de salida y entrada

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