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Módulo IGBT serie T tipo LV100 de 2,0 kV para uso industrial

TOKIO, 21 de abril de 2022 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKIO: 6503) ha anunciado hoy que comenzará a distribuir muestras de su módulo de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) serie T tipo LV100 de 2,0 kV para uso industrial este mes de mayo. Se espera que el nuevo producto de semiconductor de potencia reduzca el tamaño y el consumo de energía de los equipos de conversión energética para su uso con fuentes de energía renovables. Además, el producto se exhibirá en las principales ferias comerciales, incluyendo Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Europe 2022 en Nuremberg (Alemania), del 10 al 12 de mayo.

Los semiconductores de potencia para la conversión de energía eléctrica de manera eficiente se utilizan cada vez más como dispositivos clave que ayudan a reducir la huella de carbono de la sociedad a nivel mundial. Al mismo tiempo, se está exigiendo una conversión de potencia eficiente mediante el despliegue de tensiones de funcionamiento del sistema cada vez más altas para las redes eléctricas que utilizan fuentes de energía renovables, lo que ha llevado al desarrollo de convertidores de potencia con un valor nominal de 1500 V de CC, el límite superior de la Directiva de Baja Tensión de la UE.¹

Las muestras de módulos que Mitsubishi Electric comenzará a enviar pronto tienen una capacidad de tensión de bloqueo de 2,0 kV, que es adecuada para equipos de conversión de potencia de 1500 V de CC utilizados principalmente para sistemas de gran capacidad de varios cientos de kW a varios MW, incluidas fuentes de energía renovables. La adopción de semiconductores de tensión de bloqueo de 2,0 kV permitirá a los clientes simplificar el diseño de sus equipos de conversión de potencia de 1500 V de CC. Además, el diodo de campo catódico relajado (RFC, Relaxed Field of Cathode) y los IGBT de 7.ª generación más reciente² ayudarán a reducir el tamaño y el consumo de energía de los equipos de conversión de energía para fuentes de alimentación de energía renovables. Además, el encapsulado industrial de tipo LV100 del módulo, que es adecuado para sistemas de gran capacidad gracias a su fácil configuración en paralelo, ayudará a simplificar los diseños de sistemas de gran capacidad.

Características del producto

1. 1)El módulo IGBT con tensión de bloqueo de 2,0 kV reducirá el tamaño de los convertidores de potencia de 1500 V de CC
   • El nuevo IGBT con valor nominal de 2,0 kV simplifica el diseño de convertidores de potencia de 1500 V de CC, incluso para fuentes de energía renovables, que son difíciles de diseñar utilizando IGBT con valor nominal de 1,7 kV convencionales.
2. 2)El diodo RFC y los IGBT de 7.ª generación reducen la pérdida de potencia en convertidores de potencia
   • Los IGBT más recientes (séptima generación) con estructura CSTBT^TM3 y diodo RFC optimizados para alta tensión de bloqueo son adecuados para aplicaciones de alta tensión y baja pérdida de potencia.
3. 3)El encapsulado industrial de tipo LV100 aumentará la capacidad de los sistemas de conversión de potencia
   • Se ha optimizado el diseño del terminal para facilitar el uso de configuraciones y capacidades de inversor flexibles y en paralelo.
   • Los tres terminales principales de CA propagan y ecualizan la densidad de corriente para aumentar la capacidad del inversor.
   • La integración de las piezas aisladas y de base de cobre de la estructura y la optimización de la estructura interna del electrodo aumenta la vida del ciclo térmico4 y reduce la inductancia del encapsulado para mejorar la fiabilidad.

1. 1La directiva establece objetivos generales comunes para las normativas de seguridad, de modo que los equipos eléctricos aprobados por cualquier país miembro de la UE puedan ser aceptables para su uso en cualquier otro país de la UE
2. 2Diodo original de Mitsubishi Electric que optimiza la movilidad de electrones en el lado del cátodo
3. 3 Estructura IGBT original de Mitsubishi Electric que utiliza el efecto de almacenamiento del portador

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